講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-11-30 14:50
マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性 ○早川峰洋・林 佑樹・長瀬勇樹・市川修平・熊本恭介・柴岡真美・船戸 充・川上養一(京大) ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65 |
抄録 |
(和) |
近年,AlGaN/Al(Ga)N量子井戸を用いた深紫外LEDの研究が進展をみせており,メーカーによる市販化も始まった.しかし,AlGaN系量子井戸の内部量子効率は,可視光LEDの材料であるInGaN系と比べて依然低く,さらなる改善が課題である.我々はこれまで,本問題の解決を目的としてマクロステップ上にAlGaN量子細線を作製している.今回,本構造の光学特性をフォトルミネッセンスによって評価したところ,AlGaN量子細線において従来の量子井戸よりも非輻射再結合確率が減少し,室温での発光効率の向上に寄与することが明らかとなった. |
(英) |
Extensive studies on AlGaN/Al(Ga)N quantum wells recently achieved the commercialization of deep-ultraviolet LEDs. However, the internal quantum efficiency (IQE) is still lower than that of InGaN-based visible LEDs especially under weak excitation and Al-rich condition. To solve this problem, we have proposed AlGaN quantum wires (QWRs) using vicinal AlN surface with macrosteps. In this paper, we investigate the optical properties of AlGaN QWRs by photoluminescence spectroscopy (PL). Time-resolved PL at room temperature suggests that the nonradiative lifetime of AlGaN QWRs is much longer than that of AlGaN/Al(Ga)N QWs, which results in the improvement of the emission efficiency at room temperature. |
キーワード |
(和) |
AlGaN / 量子細線 / 時間分解フォトルミネッセンス / 非輻射再結合寿命 / / / / |
(英) |
AlGaN / Quantum wires / Time-resolved photoluminescence / Nonradiative lifetime / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 333, LQE2017-65, pp. 15-18, 2017年11月. |
資料番号 |
LQE2017-65 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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