講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-11-30 14:25
InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析 ○池田優真・坂井繁太・大島一輝・山口敦史(金沢工大)・蟹谷裕也・冨谷茂隆(ソニー) ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64 |
抄録 |
(和) |
LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において、PLピークエネルギーのS字型温度依存性(S-Shape)の解析は組成揺らぎの評価手段の一つとして広く用いられている。しかしながら、一般的に用いられているフィッティング関数の導出においては大胆な近似が使われており、この解析を問題なく使える条件は限定的である。そこで本研究では、より汎用性のあるモデルを考案し、このモデルに基づきS-Shapeを計算で求め、実験結果との比較を行った。その結果、従来モデルよりも大幅に広い温度範囲で、理論モデルにより実験結果を再現することができた。 |
(英) |
Analysis of S-shaped temperature dependence of PL peak energy is widely used to evaluate the degree of compositional fluctuation in InGaN alloy materials used as active layers in LEDs and laser diodes. However, the fitting function commonly used in this analysis is derived on the basis of some bold approximation, and the analysis can be applied in only limited conditions (e.g. high temperature and small carrier density). In this work, we have established a new theoretical model which can be applied in wide ranges of temperature and carrier density. A measured S-shape behavior in an InGaN quantum-well structure has been analyzed by the theoretical model, and it is shown that the S-shaped behavior can be well fitted by our model in a wide temperature range, compared with the conventional model. |
キーワード |
(和) |
InGaN量子井戸 / 組成揺らぎ / S-Shape / / / / / |
(英) |
InGaN-QWs / compositional fluctuation / S-Shape / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 333, LQE2017-64, pp. 11-14, 2017年11月. |
資料番号 |
LQE2017-64 |
発行日 |
2017-11-23 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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