講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-11-21 16:30
[依頼講演]研究室で作成したGaNダイオード整流器 ○池戸雄哉・加藤直樹・伊藤雄磨・為末圭一・角野純平・寺島弘人(名工大) WPT2017-53 |
抄録 |
(和) |
平成29年3月電子情報通信学会総合大会と併設され開催された高周波整流コンテストにてユニーク賞を頂いた整流回路について述べる。窒化ガリウム(GaN)半導体基板を用いて研究室内のクリーンルームにて、整流器用ダイオードを自作した。その基板上に形成されたダイオードを切りだしたものを樹脂基板上に設置し、樹脂基板上の線路とワイヤーボンディングを用いて接続した。
ダイオードに用いたGaN半導体結晶の構造は、AlGaN/GaNヘテロ構造の上にGaNキャップ層を設けた構造である。この構造のGaNキャップ層を選択的にエッチングした部分にゲートを置くことで実現したノーマリーオフ型二次元電子ガストランジスタを基本構造として、トランジスタのゲートとドレインを接続することでダイオード化した。GaN系半導体の高耐圧、高速性を活かしたマイクロ波領域の大電力の整流素子として、研究を進めているものである。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
マイクロ波無線電力伝送 / 窒化ガリウム(GaN) / AlGaN/GaN / 二次元電子ガス / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 318, WPT2017-53, pp. 49-52, 2017年11月. |
資料番号 |
WPT2017-53 |
発行日 |
2017-11-14 (WPT) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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WPT2017-53 |