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講演抄録/キーワード
講演名 2017-11-09 14:05
マルチ高調波処理回路を用いた低SHF帯広帯域GaN HEMT高効率電力増幅器
髙木裕貴石川 亮本城和彦電通大
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抄録 (和) 次世代移動通信システムの実現に向けて,電力増幅器の更なる高周波領域での高効率化に加えてマルチバンド化等の高機能化も同時に要求されている.我々は,リアクティブ終端処理技術を基に,マルチバンド高効率増幅器を実現してきているが,その際,高調波処理次数の増加に伴う短絡スタブ接続点数の増加による設計の困難化が問題となっていた.一方で,我々はT型スタブにより2つの高調波を同時に短絡するリアクティブ終端処理技術を用いた高効率電力増幅器構成手法を提案し, その有用性を確認している.そこで,2周波に対して高調波処理を施すデュアルバンド高効率化を基に, 従来は設計の困難化によりそれぞれの基本波に対して2次高調波処理までの処理に留まっていたが, 今回, 提案手法に基づき3次高調波まで処理した回路構成による広帯域高効率電力増幅器を設計・試作し評価した. その結果,4.6 GHzで最大付加電力効率68 %, 最大ドレイン効率72 %, 出力電力38 dBm,4.9 GHzで最大付加電力効率65 %, 最大ドレイン効率69 %, 出力電力37 dBm,4.54 から5.04 GHzで最大ドレイン効率が60 %以上と広帯域な良好結果が得られた. 
(英) High-efficiency power amplifiers operating at higher-frequency bands are required for next generation wireless communication systems. In addition, expanding the bandwidth for the amplifiers is also required. We have proposed a construction method of the high-efficiency amplifiers based on a reactive termination technique that two harmonics are shunted with T-shaped stub. By applying this technique for the dual-band operation, a wideband high-efficiecy amplifier treating up to the third-order harmonics for each operation frequency has been successfully constructed. The fabricated wide-band GaN HEMT amplifier achieved maximum power-added efficiencies of 68 % and 65 % and maximum drain efficiencies of 72 % and 69 % with 38- and 37-dBm output powers at 4.6 and 4.9 GHz. In addition, a drain efficiency of more than 60 % was obtained over a wide frequency range from 4.54 to 5.04 GHz.
キーワード (和) 電力増幅器 / 高調波処理 / 高効率 / GaN HEMT / 広帯域 / 低SHF帯 / /  
(英) power amplifier / harmonic treatment / high efficiency / GaN HEMT / wide band / low SHF band / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 291, MW2017-121, pp. 51-56, 2017年11月.
資料番号 MW2017-121 
発行日 2017-11-02 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2017-11-09 - 2017-11-10 
開催地(和) 宮古島マリンターミナルビル 
開催地(英) Miyakojima Marin Terminal Bldg. 
テーマ(和) マイクロ波一般 
テーマ(英) Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2017-11-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マルチ高調波処理回路を用いた低SHF帯広帯域GaN HEMT高効率電力増幅器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Wide-Band High-Efficiency GaN HEMT Amplifier Based on Multi-Harmonic Treatments at Low SHF Band 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 電力増幅器 / power amplifier  
キーワード(2)(和/英) 高調波処理 / harmonic treatment  
キーワード(3)(和/英) 高効率 / high efficiency  
キーワード(4)(和/英) GaN HEMT / GaN HEMT  
キーワード(5)(和/英) 広帯域 / wide band  
キーワード(6)(和/英) 低SHF帯 / low SHF band  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 髙木 裕貴 / Yuki Takagi / タカギ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
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講演者
発表日時 2017-11-09 14:05:00 
発表時間 15 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-MW2017-121 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.291 
ページ範囲 pp.51-56 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-MW-2017-11-02 


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