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講演抄録/キーワード
講演名 2017-11-09 15:15
マイクロ波・ミリ波帯移相器の開発に向けた強誘電体膜材料の検討 ~ 成膜条件の最適化 ~
島 宏美防衛大)・内田 寛上智大)・中嶋宇史東京理科大/JST)・岡村総一郎東京理科大)・福田翔太郎亀井利久防衛大
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抄録 (和) IoT時代の到来を背景にマイクロ波・ミリ波帯での可変多機能デバイスの開発が求められている。筆者らはこれまで印加電界によって誘電率が変化する液晶材料に着目したマイクロ波液晶装荷移相器について提案してきた。本研究は、液晶装荷移相器の液晶層を強誘電体薄膜に置き換えた強誘電体薄膜移相器の開発を行うものである。本報告では、高周波帯での応用を考え、BaTi$O_3$のBサイトにZrを置換したBa(Zr,Ti)$O_3$膜を化学溶液堆積法により作製した際の構造解析や膜質、誘電特性の結果から、最適な成膜条件を検討した。その結果、より高い結晶化温度で熱処理することで結晶粒の成長が促され、高い比誘電率およびチューナビリティ特性が得られることを確認した。 
(英) Since the arrival of the IoT era, the development of tunable multifunctional devices in the microwave and millimeter wave bands is required. We have proposed liquid crystal loaded phase shifter in microwave band, whose phase shifter operation is based on anisotropy in dielectric permittivity for the applied electric field. In this study, we are developing the ferroelectric thin film loaded phase shifter in which the liquid crystal layer is replaced with the ferroelectric thin film. In this report, for application in the RF band, optimum deposition condition of Ba(Zr,Ti)$O_3$ film in which Zr is substituted for the B site of BaTi$O_3$ were examined from the results of structural analysis, film quality and dielectric properties. As a result, it was confirmed that sintering at a higher temperature promotes growth of crystal grains, and high dielectric permittivity and tunability properties can be obtained.
キーワード (和) マイクロ波 / ミリ波 / 移相器 / 強誘電体薄膜 / 高周波チューナブル素子 / / /  
(英) microwave / millimeter wave / phase shifter / ferroelectric thinfilm / RF tunable device / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 291, MW2017-125, pp. 73-77, 2017年11月.
資料番号 MW2017-125 
発行日 2017-11-02 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2017-11-09 - 2017-11-10 
開催地(和) 宮古島マリンターミナルビル 
開催地(英) Miyakojima Marin Terminal Bldg. 
テーマ(和) マイクロ波一般 
テーマ(英) Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2017-11-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) マイクロ波・ミリ波帯移相器の開発に向けた強誘電体膜材料の検討 
サブタイトル(和) 成膜条件の最適化 
タイトル(英) Study of ferroelectric films for the development of phase shifter in microwave and millimeter wave band 
サブタイトル(英) The optimization of deposition conditions 
キーワード(1)(和/英) マイクロ波 / microwave  
キーワード(2)(和/英) ミリ波 / millimeter wave  
キーワード(3)(和/英) 移相器 / phase shifter  
キーワード(4)(和/英) 強誘電体薄膜 / ferroelectric thinfilm  
キーワード(5)(和/英) 高周波チューナブル素子 / RF tunable device  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 島 宏美 / Hiromi Shima / シマ ヒロミ
第1著者 所属(和/英) 防衛大学校 (略称: 防衛大)
National Defense Academy (略称: NDA)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 寛 / Hiroshi Uchida / ウチダ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中嶋 宇史 / Takashi Nakajima / ナカジマ タカシ
第3著者 所属(和/英) 東京理科大学/JSTさきがけ (略称: 東京理科大/JST)
Tokyo University of Science/JST PRESTO (略称: TUS/JST PRESTO)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡村 総一郎 / Soichiro Okamura / オカムラ ソウイチロウ
第4著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: TUS)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 翔太郎 / Shotaro Fukuda / フクダ ショウタロウ
第5著者 所属(和/英) 防衛大学校 (略称: 防衛大)
National Defense Academy (略称: NDA)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 亀井 利久 / Toshihisa Kamei / カメイ トシヒサ
第6著者 所属(和/英) 防衛大学校 (略称: 防衛大)
National Defense Academy (略称: NDA)
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講演者
発表日時 2017-11-09 15:15:00 
発表時間 15 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-MW2017-125 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.291 
ページ範囲 pp.73-77 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-MW-2017-11-02 


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