電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2017-11-08 13:05
[依頼講演]GaN増幅器と1-bitトランシーバを用いた5G・28GHz帯ロングレンジ用デジタルアクティブアンテナの試作
金子友哉桑原俊秀田和憲明谷尾真明田邊浩介國弘和明NEC
技報オンラインサービス実施中
抄録 (和) 5G無線アクセスシステムでは、高速化・大容量化が求められており、高SHF帯/ミリ波帯でビームフォーミングを用いた広帯域伝送が検討されている。我々は、28GHz帯で高出力窒化ガリウム(GaN) HEMT増幅器と480素子アレーアンテナによるロングレンジと、デジタルビームフォーミングによる複数ビーム生成とフレキシビリティをめざしアクティブアンテナ試作を行った。高出力化に伴いミリ波帯に適したアンテナ素子間隔と放熱の両立を検討、デジタル化に伴い多数個のデータコンバータの小型省電力化のために1-bitトランシーバを採用した。EIRP 68dBm、最大ビーム数理論値32となる。試作と今後の課題について報告する。 
(英) This paper reports the design and performance of a 28GHz Digital Active Antenna System(AAS) prototype for 5G long-range base station application. AAS accommodates high power 0.15 um GaN HEMT amplifiers and 480 elements array antenna for long-range application, and the digital beam-forming for simultaneous multi-beams and flexibility. The new architecture is proposed and discussed for realizing mm-Wave antenna element interval and thermal management. And 1-bit transmitters and 1-bit receivers are introduced for smaller size and less power consumption of multiple data convertors in digital beam-forming. The average EIRP is 68dBm and theoretical maximum spectrum efficiency is 32 bps/Hz.
キーワード (和) 第5世代モバイルアクセス / eMBB / 高SHF帯 / ミリ波 / デジタルビームフォーミング / 窒化ガリウム / 増幅器 / 1-bitトランシーバ  
(英) 5G / eMBB / millimeter-wave / digital beam-forming / GaN / amplifier / 1-bit transceiver /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 284, RCS2017-210, pp. 35-40, 2017年11月.
資料番号 RCS2017-210 
発行日 2017-11-01 (AP, RCS) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 AP RCS  
開催期間 2017-11-08 - 2017-11-10 
開催地(和) 福岡大学 
開催地(英) Fukuoka University 
テーマ(和) アダプティブアンテナ,等化,干渉キャンセラ,MIMO,無線通信,一般 
テーマ(英) Adaptive Antenna, Equalization, Interference Canceler, MIMO, Wireless Communications, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 RCS 
会議コード 2017-11-AP-RCS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN増幅器と1-bitトランシーバを用いた5G・28GHz帯ロングレンジ用デジタルアクティブアンテナの試作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Prototyping of 28 GHz Digital Active Antenna System using GaN HEMT Amplifiers and 1-bit Transceivers for 5G Long-range Base Station Applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 第5世代モバイルアクセス / 5G  
キーワード(2)(和/英) eMBB / eMBB  
キーワード(3)(和/英) 高SHF帯 / millimeter-wave  
キーワード(4)(和/英) ミリ波 / digital beam-forming  
キーワード(5)(和/英) デジタルビームフォーミング / GaN  
キーワード(6)(和/英) 窒化ガリウム / amplifier  
キーワード(7)(和/英) 増幅器 / 1-bit transceiver  
キーワード(8)(和/英) 1-bitトランシーバ /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 金子 友哉 / Tomoya Kaneko / カネコ トモヤ
第1著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑原 俊秀 / Toshihide Kuwabara / クワバラ トシヒデ
第2著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田和 憲明 / Noriaki Tawa / タワ ノリアキ
第3著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷尾 真明 / Masaaki Tanio / タニオ マサアキ
第4著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 田邊 浩介 / Kousuke Tanabe / タナベ コウスケ
第5著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 國弘 和明 / Kazuaki Kunihiro / クニヒロ カズアキ
第6著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2017-11-08 13:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 RCS 
資料番号 IEICE-AP2017-113,IEICE-RCS2017-210 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.283(AP), no.284(RCS) 
ページ範囲 pp.31-36(AP), pp.35-40(RCS) 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-AP-2017-11-01,IEICE-RCS-2017-11-01 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会