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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-11-06 14:55 動的マルチボディバイアス制御を用いたデジタルメモリのリークエネルギー削減 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2017-33 DC2017-39 |
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| 抄録 | （和） | オンチップメモリはマイクロプロセッサの主要な構成要素であり、消費エネルギーに大きな影響を与える。本稿では、二アスレッショルド領域で動作するSRAMに代わるデジタルメモリマクロとしてStandard Cell based Memory (SCM)に着目し、ばらつき条件下でデータ保持安定性とリークエネルギー削減を両立した動的マルチボディバイアス制御について提案する。これにより、ばらつきの条件下でポストレイアウトシミュレーションを行なった結果、単一ボディバイアス制御を行う従来手法及びMulti-Vth設計手法と比較して、それぞれ最大で37％、48%のリークエネルギーを削減できることを示した。 |
| （英） | Embedded memory macros are major central building blocks of any microprocessor and greatly affect power dissipation. In this paper, we focus on the Standard Cell based Memory (SCM) as a digital memory instead of SRAM macros. We propose a dynamic multi body-bias control technique which keeps data retention margin comfortable and reduces leakage energy under the variations. Post layout simulation showed that the proposed approach allowed us to reduce leakage energy by 37% and 48% at the maximum as compared to the conventional body bias control and Multi-Vth designs, respectively. | |
| キーワード | （和） | ボディバイアス / Standard Cell based Memory / 低電圧動作 / 低消費エネルギー / ばらつき耐性 / / / |
| （英） | Body Bias / Standard Cell based Memory / Low voltage operation / Low energy / Variation tolerance / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 273, VLD2017-33, pp. 37-42, 2017年11月. | |
| 資料番号 | VLD2017-33 | |
| 発行日 | 2017-10-30 (VLD, DC) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2017-33 DC2017-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE IPSJ-SLDM |
| 開催期間 | 2017-11-06 - 2017-11-08 |
| 開催地（和） | くまもと県民交流館パレア |
| 開催地（英） | Kumamoto-Kenminkouryukan Parea |
| テーマ（和） | デザインガイア2017 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2017 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2017-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 動的マルチボディバイアス制御を用いたデジタルメモリのリークエネルギー削減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Leakage Energy Reduction for Digital Embedded Memory using Dynamic Multi Body Bias Control |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ボディバイアス / Body Bias |
| キーワード(2)（和/英） | Standard Cell based Memory / Standard Cell based Memory |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧動作 / Low voltage operation |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費エネルギー / Low energy |
| キーワード(5)（和/英） | ばらつき耐性 / Variation tolerance |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 有佑 / Yusuke Yoshida / ヨシダ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： SIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-11-06 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2017-33, DC2017-39 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.273(VLD), no.274(DC) |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-10-30 (VLD, DC) |
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