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講演抄録/キーワード
講演名 2017-10-26 10:35
III-V/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討
鈴木純一永坂久美モータズ エイッサ立花文人白 柳御手洗拓矢雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大
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抄録 (和) 多機能を有するIII-V/SOIハイブリッド光回路の実現に向け、導波路幅変調によって飽和特性の調節が可能なIII-V/SOIハイブリッド半導体光増幅器 (SOA; Semiconductor Optical Amplifier) を試作し、テーパ部における損失の見積もりと光増幅器としての増幅傾向を確認した。まず、シミュレータによる光閉じ込め係数変化の見積もりを行い、導波路幅変調による光増幅器の特性変化が得られることを示した。つぎに、テーパ構造の作製トレランスについてシミュレーションを行い、テーパ先端幅とSi導波路とIII-Vアイランドのアライメント誤差の両者がSi導波路とIII-Vアイランドの結合損失に影響をあたえることが計算された。作製したIII-V/SOIハイブリッドSOAでは、受光器として測定した際にテーパ部において約-10dBの結合効率が得られたが、光増幅器の機能として12dB程度の増幅傾向を確認した。 
(英) In order to realize multi-functional III-V/SOI hybrid photonic integrated circuits, we fabricated a III-V/SOI hybrid semiconductor optical amplifier (SOA) with different Si waveguide width, resulting in the confirmation of amplification tendency. Prior to the fabrication of the hybrid SOA, the Si waveguide width dependences of optical confinement factor were calculated and it was confirmed that saturation tunability along varying Si waveguide width can be realized. Next, by using simulator for estimation of fabrication tolerance in the taper structure, it was found that not only the taper-tip width but also misalignment between Si waveguide and III-V islands caused degradation of coupling efficiency. Finally, III-V/SOI hybrid SOAs were fabricated, and an amplification of 12dB and a coupling efficiency between Si waveguide and hybrid SOA of 10dB/taper were obtained for the device with the Si waveguide width under the island of 4 µm and the active region length of 800 µm.
キーワード (和) ハイブリッド半導体光増幅器 / プラズマ活性化貼付け / シリコンフォトニクス / / / / /  
(英) Hybrid SOA / Plasma activated bonding / Silicon photonics / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 265, LQE2017-43, pp. 13-18, 2017年10月.
資料番号 LQE2017-43 
発行日 2017-10-19 (OCS, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 OCS OPE LQE  
開催期間 2017-10-26 - 2017-10-27 
開催地(和) 桜の馬場城彩苑(熊本) 
開催地(英) Josaien, Sakuranobaba 
テーマ(和) 超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2017-10-OCS-OPE-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) III-V/SOIハイブリッドデバイスとSi導波路接続用テーパ型モード変換器構造の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of High Efficient Taper-type Mode Converter between III-V/SOI hybrid device and Si Waveguide 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ハイブリッド半導体光増幅器 / Hybrid SOA  
キーワード(2)(和/英) プラズマ活性化貼付け / Plasma activated bonding  
キーワード(3)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 純一 / Junichi Suzuki / スズキ ジュンイチ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 永坂 久美 / Kumi Nagasaka / ナガサカ クミ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) モータズ エイッサ / Moataz Eissa / モータズ エイッサ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 立花 文人 / Fumihito Tachibana / タチバナ フミヒト
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 白 柳 / Bai Liu / ハク リュウ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 御手洗 拓矢 / Takuya Mitarai / ミタライ タクヤ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya / アメミヤ トモヒロ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ
第9著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者
発表日時 2017-10-26 10:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OCS2017-38,IEICE-OPE2017-70,IEICE-LQE2017-43 
巻番号(vol) IEICE-117 
号番号(no) no.263(OCS), no.264(OPE), no.265(LQE) 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-OCS-2017-10-19,IEICE-OPE-2017-10-19,IEICE-LQE-2017-10-19 


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