講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-10-25 14:50
局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減 朴 賢雨・○黒田理人・後藤哲也・諏訪智之・寺本章伸・木本大幾・須川成利(東北大) SDM2017-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-51 |
抄録 |
(和) |
3種の異なるゲートサイズを有する多数のnMOSトランジスタのストレス誘起ゲートリーク電流(Stress Induced Leakage Current ; SILC)を,アレイテスト回路を用いて測定及び分析した.その結果,局所的SILCは電流密度が一定でなく,ランダムに分布するSILC欠陥に従うことを明らかにし,あるストレス,測定条件に対して,単位面積におけるSILC欠陥を定量的に再現できる見込みを得た.またSILC欠陥はSi/SiO2 界面の平坦化トランジスタで大きく低減されていることが分かった.Si/SiO2 界面のラフネスを低減することによりSILCを誘起する欠陥を低減できることを明らかにした. |
(英) |
Stress Induced Leakage Current (SILC) distributions of a large number of small nMOS transistors with different gate size (1×1 µm2, 0.5×0.5 µm2, 0.25×0.25 µm2) were measured with array test circuit. As a result, it was found that the localized large SILC distribution is normalized by SILC defect density, not the gate current density. With the results, SILC defect density per unit gate area on each stress and measurement condition was calculated.
Additionally, the SILC defect density drastically decreased when the Si surface was atomically flattened compared to the conventional samples. These results can be a key to reveal the SILC generation mechanism. |
キーワード |
(和) |
ストレス誘起ゲートリーク電流 / 欠陥密度 / Si表面平坦化工程 / Si表面ラフネス / / / / |
(英) |
Stress Induced Leakage Current / Defect Density / Atomically Flattening Process / Si Surface Roughness / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 260, SDM2017-51, pp. 9-14, 2017年10月. |
資料番号 |
SDM2017-51 |
発行日 |
2017-10-18 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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