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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-08-01 13:50 しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価 ○山口拓哉・奥 達哉・関根かをり（明大）  SDM2017-41 ICD2017-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-41 ICD2017-29 |
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| 抄録 | （和） | MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回はしきい電圧に着目し、しきい電圧の温度依存性が低減されたMOSFETと等価的な動作をする回路を提案し、試作した回路の測定を行った。試作したICチップは0.18μm n-ウェル 標準CMOSプロセスを用いた。 提案回路では、2つのMOSFETを弱反転領域で動作のPTAT電圧発生回路と、同一の形状比を持つ二つのMOSFETで構成したレベルシフト回路を用いてしきい電圧の温度依存性を低減している。 |
| （英） | A MOSFET has a temperature dependence of threshold voltage and mobility. In this paper, we focused on threshold voltage and propose an equivalent MOSFET circuit where temperature dependence of threshold voltage is reduced. Proposal circuit consists of PTAT voltage generator circuits and level-shift circuits to reduce temperature dependence of threshold voltage. The proposed circuit was fabricated with 0.18μm n-well CMOS process and measured. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / 温度特性 / しきい電圧 / PTAT電圧発生回路 / / / / |
| （英） | MOSFET / temperature characteristic / threshold voltage / PTAT generator / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 167, ICD2017-29, pp. 77-82, 2017年7月. | |
| 資料番号 | ICD2017-29 | |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2017-41 ICD2017-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2017-41 ICD2017-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2017-07-31 - 2017-08-02 |
| 開催地（和） | 北海道大学情報教育館 |
| 開催地（英） | Hokkaido-Univ. Multimedia Education Bldg. |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2017-07-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of equivalent MOSFET reduced temperature dependence of threshold voltage |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 温度特性 / temperature characteristic |
| キーワード(3)（和/英） | しきい電圧 / threshold voltage |
| キーワード(4)（和/英） | PTAT電圧発生回路 / PTAT generator |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 拓哉 / Takuya Yamaguchi / ヤマグチ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥 達哉 / Tatsuya Oku / オク タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関根 かをり / Kawori Sekine / セキネ カヲリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-08-01 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2017-41, ICD2017-29 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.166(SDM), no.167(ICD) |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-07-24 (SDM, ICD) |
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