講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-07-22 11:15
室温原子層堆積法を用いた酸化ニオブの試作と評価 ○野老健太郎・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦(山形大) CPM2017-37 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2017-37 |
抄録 |
(和) |
LSI分野において酸化ニオブは高誘電率ゲート絶縁膜としての利用が期待されている。一般に酸化ニオビウムは熱原子層堆積法を用いて約300℃の基板温度で成膜されるが、我々はTert-butylimido tris(ethylmethylamido)niobium(TBTEMN)とプラズマ励起された加湿アルゴンを用いて室温での原子層堆積法を確立した。本方法により、フレキシブル材料や有機デバイスへの適用も可能になると考えられる。室温原子層堆積法による酸化ジルコニウムの成長速度は0.11nm/cycleと測定された。さらに酸化ニオブの室温原子層堆積を多重内部反射赤外吸収分光法によって評価し、その反応機構を調査した。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
原子層堆積法 / 酸化ニオブ / プラズマ励起法 / 赤外吸収分光法 / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 148, CPM2017-37, pp. 85-88, 2017年7月. |
資料番号 |
CPM2017-37 |
発行日 |
2017-07-14 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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