講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-07-07 16:10
電圧制御型スピントロニクスメモリ (VoCSM) ○ブヤンダライ アルタンサルガイ・與田博明・清水真理子・井口智明・大沢裕一・下村尚治・白鳥聡志・杉山英行・加藤侑志・上口裕三・鴻井克彦・及川壮一・石川瑞恵・斉藤好昭・黒部 篤(東芝) MR2017-16 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2017-16 |
抄録 |
(和) |
電圧制御型スピントロニクスメモリ(voltage-control spintronics memory: VoCSM)は、電圧磁気異方性効果とスピンホール効果を用いた新しい書込み方式のメモリで、リードディスターブ回避、低消費電力動作および高集積度化が可能な次世代の不揮発メモリとして期待される。今回、重金属からなる下部電極上にストリング状に形成した複数ビットのMTJ素子で構成されたVoCSMを作製し、選択書込みの動作実証を行った。さらにセルフアライン構造のVoCSMを作製し、書込み電荷量はMTJ面積に比例することを明らかにした。 |
(英) |
We propose a new spintronics-based memory VoCSM (Voltage-control Spintronics Memory) employing the voltage-control-magnetic-anisotropy (VCMA) effect as a bit selecting principle and the spin-Hall effect (SHE) as a writing principle. Considering its advantages such as high density, low energy-consumption, and read disturb mitigation, VoCSM is one of dominant candidates for future nonvolatile main memory. We have fabricated the prototype string structure consist of MTJs with a common electrode, and the writing scheme was successfully demonstrated. Moreover, we have clarified linear relation between writing current and size of VoCSM with a self-aligned heavy-metal electrode. |
キーワード |
(和) |
VoCSM / MRAM / 電圧磁気異方性 / / / / / |
(英) |
VoCSM / MRAM / VCMA / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, 2017年7月. |
資料番号 |
|
発行日 |
2017-06-30 (MR) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
MR2017-16 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2017-16 |