講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-06-20 16:30
Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価 ○金田裕一・池 進一・兼松正行・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明(名大) SDM2017-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-29 |
抄録 |
(和) |
Ge1-xSnxチャネルデバイスの実現には絶縁膜/Ge1-xSnx界面およびGe1-xSnx層中の欠陥制御が必要不可欠である。本研究では、原子層堆積法を用いてGe1-xSnx上にGeO2を低温堆積し、Al/Al2O3/GeO2/Ge1-xSnx/Ge/Al構造のMOSキャパシタを作製した。また、その電気的特性から、Sn組成および電極形成後熱処理(PMA)が欠陥に及ぼす影響を評価した。Sn組成0~3.3 %において、Sn組成が増加するにつれて界面準位密度(Dit)は減少した。また、強反転状態において現れるC-V特性の周波数分散から、Ge1-xSnx層中に多量の欠陥が形成されることが分かった。さらに300 ℃および400 ℃のPMAを行うことによって界面準位密度を1/2に低減でき、Dit=4×1011 eV-1 cm-2の低い値となった。一方、500 ℃以下の熱処理によってはGe1-xSnx層のSn組成および結晶構造はほとんど変化しなかった。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
Ge1-xSnx / 原子層堆積法 / 界面準位密度 / 熱処理 / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 101, SDM2017-29, pp. 39-42, 2017年6月. |
資料番号 |
SDM2017-29 |
発行日 |
2017-06-13 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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