講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-05-26 13:35
新材料系を用いたテラヘルツ帯量子カスケードレーザの性能向上検討 ○安田浩朗(NICT) LQE2017-16 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2017-16 |
抄録 |
(和) |
GaSb材料系を用いたTHz-QCLでは、LOフォノン・電子間の相互作用がGaAs材料系よりも弱いため、レーザ準位のブロードニングが小さくなり、GaAs系THz-QCLよりもTHz利得が向上する可能性がある。しかし、GaSbではバレー間散乱の影響を無視できず、レート方程式を用いた計算により温度上昇に伴い発振に寄与するΓバレー電子を確保できなくなることが明らかになった。バレー間散乱の抑制のためウェル材料にInGaSbを用いることを提案した。In_xGa_1-xSb/Al_yIn_zGa_1-y-zSb系THz-QCLでは、合金散乱が生じるものの非平衡グリーン関数法の計算ではGaAs系を上回る利得が得られた。 |
(英) |
Calculations for GaSb-based and InGaSb-based THz-QCLs are performed. The rate-equation calculations reveal that the intervalley scattering from the $Gamma$ to the L valleys degrades the performance of GaSb-based THz-QCLs at high temperatures. Use of In_xGa_1-xSb quantum wells is proposed to reduce the intervalley scattering. The calculations using the non-equilibrium Green's function method show that InGaSb-well-based THz-QCLs have larger gain than GaAs-based THz-QCLs at high temperatures. |
キーワード |
(和) |
量子カスケードレーザ / テラヘルツ / GaSb / InGaSb / バレー間散乱 / / / |
(英) |
Quantum cascade laser / Terahertz / GaSb / InGaSb / Intervalley scattering / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 61, LQE2017-16, pp. 63-67, 2017年5月. |
資料番号 |
LQE2017-16 |
発行日 |
2017-05-18 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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