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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-05-26 10:20 GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価 ○浅田貴斗・市川義人（名工大）・伊藤健治・冨田一義・成田哲生（豊田中研）・加地 徹（名大）・加藤正史（名工大）  ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 58, ED2017-25, pp. 55-58, 2017年5月. | |
| 資料番号 | ED2017-25 | |
| 発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED CPM |
| 開催期間 | 2017-05-25 - 2017-05-26 |
| 開催地（和） | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya University |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2017-05-SDM-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of GaN epilayers grown on GaN substrates by a microwave photoconductivity decay method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅田 貴斗 / Takato Asada / アサダ タカト |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： N.I.Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 義人 / Yoshihito Ichikawa / イチカワ ヨシヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 健治 / Kenji Ito / イトウ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota Central R&D Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨田 一義 / Kazuyoshi Tomita / トミタ カズヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota Central R&D Labs.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 哲生 / Tetsuo Narita / ナリタ テツオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota Central R&D Labs.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加地 徹 / Tetsu Kachi / カチ テツ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-05-26 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2017-25, CPM2017-11, SDM2017-19 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-05-18 (ED, CPM, SDM) |
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