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| 講演名 | 2017-04-21 13:25 ［依頼講演］HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 ○山口まりな・藤井章輔・上牟田雄一・井野恒洋・高石理一郎・中崎 靖・齋藤真澄（東芝）  ICD2017-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2017-16 |
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| 抄録 | （和） | 強誘電性を利用した不揮発性メモリ技術は広く普及しているものの，CMOS親和性の低い強誘電材料を用いることや，データ読み出し方式が破壊読出しであることなどからその応用先が限られてきた．しかしながら，近年この分野において2つの大きな進展が見られた．1つは非破壊読み出し可能な「強誘電体トンネル接合メモリ（Ferroelectric Tunnel Junction, FTJ）」の動作実証であり，もう1つはCMOS親和性の高いHfO2膜において強誘電性が確認されたことである．我々は，これら2つの進展を融合した強誘電体HfO2膜を用いたFTJを開発し，そのメモリ特性を検証した．その結果，他の新規メモリデバイスよりも優れた特性を有することが確認された． |
| （英） | In recent years, two remarkable progresses have been made on ferroelectric materials and devices. One is the demonstration of ferroelectric tunnel junction (FTJ) which can readout the polarization states non-destructively. Another progress is the discovery of ferroelectricity of HfO2, the most common high-k material in advanced CMOS devices. By combining these progresses, novel ferroelectric HfO2-based tunnel junction, HfO2 FTJ, is expected to be achieved. We established a solid guideline for performance improvement and demonstrated, for the first time, successful operation of the HfO2 FTJ. And we found that HfO2 FTJ has several characteristics superior to those of the other emerging memories. | |
| キーワード | （和） | Ferroelectric Tunnel Junction / FTJ / HfO2 / / / / / |
| （英） | Ferroelectric Tunnel Junction / FTJ / HfO2 / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-16, pp. 85-88, 2017年4月. | |
| 資料番号 | ICD2017-16 | |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2017-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2017-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2017-04-20 - 2017-04-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路関連一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2017-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Demonstration of HfO2-Based Ferroelectric Tunnel Junction (FTJ) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ferroelectric Tunnel Junction / Ferroelectric Tunnel Junction |
| キーワード(2)（和/英） | FTJ / FTJ |
| キーワード(3)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 まりな / Marina Yamaguchi / ヤマグチ マリナ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 章輔 / Shosuke Fujii / フジイ ショウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上牟田 雄一 / Yuuichi Kamimuta / カミムタ ユウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井野 恒洋 / Tsunehiro Ino / イノ ツネヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高石 理一郎 / Riichiro Takaishi / タカイシ リイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中崎 靖 / Yasushi Nakasaki / ナカサキ ヤスシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-04-21 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2017-16 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.9 |
| ページ範囲 | pp.85-88 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |
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