講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-04-20 16:45
非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討 ○大見俊一郎・廣木瑞葉・張 鴻立・前田康貴(東工大) SDM2017-4 OME2017-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-4 OME2017-4 |
抄録 |
(和) |
有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示し、将来のフレキシブルエレクトロニクスの実現にむけて盛んに研究が行われている。しかし、有機半導体はSiプロセスで用いられるリソグラフィプロセスの適用が困難であるため、ボトムゲート型OFETの報告がほとんどであり微細化および高集積化に課題がある。本研究では、単一有機半導体相補型トランジスタ(CMOS)の形成を目的として、真空蒸着による形成が可能な非晶質ルブレンに着目し、in-situで非晶質ルブレン/ペンタセン積層構造を形成し、ソグラフィプロセスを用いたトップゲート型OFETの作製に関する検討を行った。さらに、有機強誘電体クロコン酸薄膜を用いたトップゲート型強誘電体ゲートトランジスタ(FeFET)に関しても紹介する。 |
(英) |
High hole mobility, higher than that of amorphous-Si (a-Si), has been reported for the organic semiconductor field-effect transistor (OFET) utilizing pentacene, ruburene, and other materials. However, the device scaling and integration are the issues for the OFETs because of the difficulties to use lithography process. In this paper, we have investigated amorphous rubrene (a-rubrene) gate insulator, which is able to be evaporated, and in-situ deposition of a-rubrene/pentacene stack structure to fabricate top-gate type OFETs utilizing lithography process for the single organic semiconductor CMOS applications. Furthermore, fabrication of top-gate type ferroelectric gate OFET (FeFET) utilizing organic ferroelectrics of croconic acid thin films. |
キーワード |
(和) |
非晶質ルブレン / ペンタセン / クロコン酸 / トップゲート型 / リソグラフィ / OFET / FeFET / CMOS |
(英) |
amorphous rubrene / pentacene / croconic acid / top-gate type / lithography / OFET / FeFET / CMOS |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 8, OME2017-4, pp. 15-18, 2017年4月. |
資料番号 |
OME2017-4 |
発行日 |
2017-04-13 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2017-4 OME2017-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-4 OME2017-4 |
研究会情報 |
研究会 |
OME SDM |
開催期間 |
2017-04-20 - 2017-04-21 |
開催地(和) |
龍郷町生涯学習センター |
開催地(英) |
Tatsugochou Shougaigakushuu Center |
テーマ(和) |
有機エレクトロニクス、シリコンデバイス、バイオテクノロジー、新規機能性材料、薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス、材料・評価技術および一般 |
テーマ(英) |
Organic molecular devices, silicon device, biotechnology, thin film device, novel material, evaluation method, etc |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
OME |
会議コード |
2017-04-OME-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
A Study on Top-Gate Type OFETs utilizing Amorphous Rubrene Gate Insulator |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
非晶質ルブレン / amorphous rubrene |
キーワード(2)(和/英) |
ペンタセン / pentacene |
キーワード(3)(和/英) |
クロコン酸 / croconic acid |
キーワード(4)(和/英) |
トップゲート型 / top-gate type |
キーワード(5)(和/英) |
リソグラフィ / lithography |
キーワード(6)(和/英) |
OFET / OFET |
キーワード(7)(和/英) |
FeFET / FeFET |
キーワード(8)(和/英) |
CMOS / CMOS |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
第1著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technoogy (略称: Tokyo Tech) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
廣木 瑞葉 / Mizuha Hiroki / ヒロキ ミズハ |
第2著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technoogy (略称: Tokyo Tech) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
張 鴻立 / Hongli Zhang / チョウ コウリツ |
第3著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technoogy (略称: Tokyo Tech) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
前田 康貴 / Yasutaka Maeda / マエダ ヤスタカ |
第4著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technoogy (略称: Tokyo Tech) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2017-04-20 16:45:00 |
発表時間 |
45分 |
申込先研究会 |
OME |
資料番号 |
SDM2017-4, OME2017-4 |
巻番号(vol) |
vol.117 |
号番号(no) |
no.7(SDM), no.8(OME) |
ページ範囲 |
pp.15-18 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2017-04-13 (SDM, OME) |
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