お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2017-04-20 16:45
非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討
大見俊一郎廣木瑞葉張 鴻立前田康貴東工大SDM2017-4 OME2017-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-4 OME2017-4
抄録 (和) 有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示し、将来のフレキシブルエレクトロニクスの実現にむけて盛んに研究が行われている。しかし、有機半導体はSiプロセスで用いられるリソグラフィプロセスの適用が困難であるため、ボトムゲート型OFETの報告がほとんどであり微細化および高集積化に課題がある。本研究では、単一有機半導体相補型トランジスタ(CMOS)の形成を目的として、真空蒸着による形成が可能な非晶質ルブレンに着目し、in-situで非晶質ルブレン/ペンタセン積層構造を形成し、ソグラフィプロセスを用いたトップゲート型OFETの作製に関する検討を行った。さらに、有機強誘電体クロコン酸薄膜を用いたトップゲート型強誘電体ゲートトランジスタ(FeFET)に関しても紹介する。 
(英) High hole mobility, higher than that of amorphous-Si (a-Si), has been reported for the organic semiconductor field-effect transistor (OFET) utilizing pentacene, ruburene, and other materials. However, the device scaling and integration are the issues for the OFETs because of the difficulties to use lithography process. In this paper, we have investigated amorphous rubrene (a-rubrene) gate insulator, which is able to be evaporated, and in-situ deposition of a-rubrene/pentacene stack structure to fabricate top-gate type OFETs utilizing lithography process for the single organic semiconductor CMOS applications. Furthermore, fabrication of top-gate type ferroelectric gate OFET (FeFET) utilizing organic ferroelectrics of croconic acid thin films.
キーワード (和) 非晶質ルブレン / ペンタセン / クロコン酸 / トップゲート型 / リソグラフィ / OFET / FeFET / CMOS  
(英) amorphous rubrene / pentacene / croconic acid / top-gate type / lithography / OFET / FeFET / CMOS  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 8, OME2017-4, pp. 15-18, 2017年4月.
資料番号 OME2017-4 
発行日 2017-04-13 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-4 OME2017-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-4 OME2017-4

研究会情報
研究会 OME SDM  
開催期間 2017-04-20 - 2017-04-21 
開催地(和) 龍郷町生涯学習センター 
開催地(英) Tatsugochou Shougaigakushuu Center 
テーマ(和) 有機エレクトロニクス、シリコンデバイス、バイオテクノロジー、新規機能性材料、薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス、材料・評価技術および一般 
テーマ(英) Organic molecular devices, silicon device, biotechnology, thin film device, novel material, evaluation method, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2017-04-OME-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Study on Top-Gate Type OFETs utilizing Amorphous Rubrene Gate Insulator 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 非晶質ルブレン / amorphous rubrene  
キーワード(2)(和/英) ペンタセン / pentacene  
キーワード(3)(和/英) クロコン酸 / croconic acid  
キーワード(4)(和/英) トップゲート型 / top-gate type  
キーワード(5)(和/英) リソグラフィ / lithography  
キーワード(6)(和/英) OFET / OFET  
キーワード(7)(和/英) FeFET / FeFET  
キーワード(8)(和/英) CMOS / CMOS  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technoogy (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣木 瑞葉 / Mizuha Hiroki / ヒロキ ミズハ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technoogy (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 鴻立 / Hongli Zhang / チョウ コウリツ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technoogy (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 康貴 / Yasutaka Maeda / マエダ ヤスタカ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technoogy (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2017-04-20 16:45:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 OME 
資料番号 SDM2017-4, OME2017-4 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.7(SDM), no.8(OME) 
ページ範囲 pp.15-18 
ページ数
発行日 2017-04-13 (SDM, OME) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会