講演抄録/キーワード |
講演名 |
2017-04-20 15:20
[招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術 ○中野全也・伊藤 孝・山内忠昭・山口泰男・河野隆司・日高秀人(ルネサス エレクトロニクス) ICD2017-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2017-8 |
抄録 |
(和) |
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車載用MCU(Micro Controller Unit)の混載フラッシュメモリ技術に、さらなる進化が要求されている。当社SG-MONOS(Spilt-Gate MONOS)型フラッシュメモリは、90nm世代以来、車載MCUに混載可能な世界をリードする最先端フラッシュメモリであり、車載に要求される高信頼性および高性能と高いスケラビリティ性を持っている。低プロファイル (セル高さが低い)が可能なSG-MONOS構造はHKMG(High-K Metal Gate)トランジスタにも適合性が高く、28nmまでプロセス微細化に成功しており、また、FinFET型のメモリセル開発にも成功しており、16/14nmへのスケーラビリティも実証している。これらの優位性により、SG-MONOSは車載用混載フラッシュメモリが集約されていく中での有力な候補として、環境にやさしい車と自動運転の実現に貢献可能である。 |
(英) |
Higher fuel-efficient engine and advanced driver assistance system (ADAS) require the further progress of embedded Flash (eFlash) technology for the automotive microcontroller units (MCUs). Our unique spilt-gate MONOS (SG-MONOS) has been leading the world’s first most cutting-edge eFlash for automotive MCUs since 90nm process node and has been already scaled down to 16/14nm one, because of its excellent reliability and process scalability. As the convergence candidate of eFlash for automotive Flash MCUs, SG-MONOS can contribute to the realization of the future world’s leading green vehicles and autonomous-driving era. |
キーワード |
(和) |
車載用途 / 混載フラッシュメモリ / SG-MONOS / ADAS / HKMG / FinFET / / |
(英) |
for Automotive / embedded Flash memory / SG-MONOS / ADAS / HKMG / FinFET / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-8, pp. 39-44, 2017年4月. |
資料番号 |
ICD2017-8 |
発行日 |
2017-04-13 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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