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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-04-20 16:10 ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology ○Ryuji Yamashita・Sagar Magia（WDC）・Tsutomu Higuchi・Kazuhide Yoneya・Toshio Yamamura（Toshiba）・Hiroyuki Mizukoshi・Shingo Zaitsu・Minoru Yamashita・Shunichi Toyama・Norihiro Kamae・Juan Lee・Shuo Chen・Jiawei Tao・William Mak・Xiaohua Zhang（WDC）  ICD2017-9 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2017-9 |
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| 抄録 | （和） | 64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOCデコード方式によりロウ・デコーダー面積を18%小さくできた。これはチップ面積の約1.3%に相当する。またその他のレイアウト技術と併せて、チップ面積132mm2、ビット密度3.88Gb/mm2を実現した。SBL電流センス方式により8KB pageで64μsのtRを実現した。これは従来の16KB pageのABL電流センス方式より20%短い。USP動作により、しきい値電圧ウィンドウを15%広げることができ、信頼性を著しく改善させた。この3Dフラッシュ技術により、ビット密度・コスト・性能・信頼性の面で市場の要求を満たせることが確認できた。 |
| （英） | A 512Gb 3b/cell flash has been developed on a 64-WL-layer BiCS technology. By using a four-block-EOC row decoding approach, row decoder area is reduced by 18%, which translates to a 1.3% die size reduction. With additional layout area reduction techniques, a 132mm2 die size and 3.88Gb/mm2 bit density have been achieved. SBL current sensing achieved a 64μs tR with an 8KB page size, which is 20% less than a conventional 16KB-page ABL. USP operation expanded the Vt window by 15%, which has significantly improved endurance and reliability. This work confirms that it is possible to meet market requirements for bit density, cost, performance, and reliability with this 3D-flash technology. | |
| キーワード | （和） | 3Dフラッシュ / BiCS / 64ワードライン層 / NANDフラッシュメモリー / 不揮発性メモリー / / / |
| （英） | 3D-flash / BiCS / 64-word-line-layer / NAND flash memory / Non-volatile memory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 9, ICD2017-9, pp. 45-50, 2017年4月. | |
| 資料番号 | ICD2017-9 | |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2017-9 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2017-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2017-04-20 - 2017-04-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路関連一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2017-04-ICD |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3Dフラッシュ / 3D-flash |
| キーワード(2)（和/英） | BiCS / BiCS |
| キーワード(3)（和/英） | 64ワードライン層 / 64-word-line-layer |
| キーワード(4)（和/英） | NANDフラッシュメモリー / NAND flash memory |
| キーワード(5)（和/英） | 不揮発性メモリー / Non-volatile memory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 竜二 / Ryuji Yamashita / ヤマシタ リュウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | サガー マジア / Sagar Magia / サガー マジア |
| 第2著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 樋口 勉 / Tsutomu Higuchi / ヒグチ ツトム |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米谷 和英 / Kazuhide Yoneya / ヨネヤ カズヒデ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山村 俊雄 / Toshio Yamamura / ヤマムラ トシオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水越 裕之 / Hiroyuki Mizukoshi / ミズコシ ヒロユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財津 真吾 / Shingo Zaitsu / ザイツ シンゴ |
| 第7著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 実 / Minoru Yamashita / ヤマシタ ミノル |
| 第8著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 外山 俊一 / Shunichi Toyama / トヤマ シュンイチ |
| 第9著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 釡江 典裕 / Norihiro Kamae / カマエ ノリヒロ |
| 第10著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | フアン リー / Juan Lee / フアン リー |
| 第11著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | シュオ チェン / Shuo Chen / シュオ チェン |
| 第12著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | ジアウェイ タオ / Jiawei Tao / ジアウェイ タオ |
| 第13著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | ウィリアム マック / William Mak / ウィリアム マック |
| 第14著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | シャオフア ツァン / Xiaohua Zhang / シャオフア ツァン |
| 第15著者 所属（和/英） | ウェスタンデジタル (略称： ウェスタンデジタル) Western Digital (略称： WDC) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-04-20 16:10:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2017-9 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.9 |
| ページ範囲 | pp.45-50 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-04-13 (ICD) |
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