| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2017-03-02 11:20 LELEダブルパターニングにおけるFMアルゴリズムを用いた効率的なパターン局所修正手法 ○尾頭 篤・佐藤真平・高橋篤司（東工大）  VLD2016-113 |
|
| 抄録 | （和） | 現在の半導体設計では，高品質で短時間の設計が求められている． 近年の最先端のリソグラフィ技術では，デザインルールに従うパターンにおいても歩留まり低下の要因となるホットスポットが存在することがある． そのため，ホットスポットのないパターンを短時間で得て設計を収束させることが求められる． しかし，ホットスポットの有無を確認するためのリソグラフィシミュレーションにかかる時間は長く，ホットスポット解消のためのパターン修正により新たなホットスポットが生じる場合がある． そこで本研究では，修正による新たなホットスポットの発生を抑えつつ修正後に必要なシミュレーション時間が短いパターン修正を得る手法を提案する． 手法により求めたパターン修正を用いることで，設計を短時間で収束させ，効率的な半導体設計を達成することが期待される． |
| （英） | In current semiconductor design, high quality and short time design is required. In an advanced lithography technology in recent years, even in a pattern that satisfies design rule may contain spot that degrades the yield which is called hot spot. Therefore, it is required to obtain a pattern without a hot spot in a short time and to converge the design. However, the time required for lithography simulation for checking the existence of hot spots is long, and a new hot spot may be generated by pattern modification for eliminating hot spots. Therefore, in this research, we propose a method to obtain a pattern modification with short simulation time required after modification, while suppressing the occurrence of new hot spots by modification. By using a pattern modification obtained by the method, it is expected that the design can be converged in a short time and an efficient semiconductor design can be achieved. |
|
| キーワード | （和） | パターン修正 / ホットスポット / ダブルパターニング / / / / / |
| （英） | pattern modification / hot spot / double patterning / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 478, VLD2016-113, pp. 67-72, 2017年3月. | |
| 資料番号 | VLD2016-113 | |
| 発行日 | 2017-02-22 (VLD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2016-113 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
| 開催期間 | 2017-03-01 - 2017-03-03 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2017-03-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | LELEダブルパターニングにおけるFMアルゴリズムを用いた効率的なパターン局所修正手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Efficient Local Pattern Modification Method using FM Algorithm in LELE Double Patterning |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パターン修正 / pattern modification |
| キーワード(2)（和/英） | ホットスポット / hot spot |
| キーワード(3)（和/英） | ダブルパターニング / double patterning |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾頭 篤 / Atsushi Ogashira / オガシラ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo TECH) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 真平 / Shimpei Sato / サトウ シンペイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo TECH) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 篤司 / Atsushi Takahashi / タカハシ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo TECH) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2017-03-02 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2016-113 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.478 |
| ページ範囲 | pp.67-72 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2017-02-22 (VLD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]