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| 講演名 | 2016-11-29 09:00 ランダムばらつきが低減されたプロセスにおける超低電圧条件下でのSTIストレス効果と逆狭チャネル効果による閾値ばらつきの実測 ○小笠原泰弘・小池帆平（産総研）  CPM2016-76 ICD2016-37 IE2016-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2016-76 ICD2016-37 |
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| 抄録 | （和） | 本論文では超低電圧下におけるレイアウト依存性効果に起因する閾値変動効果の影響を実測より示す。65nm SOTB CMOS プロセスにおいて測定を行った結果，STI ストレス効果によるドーパント再分布による閾値変動が無視できない効果を持ち，超低電圧下において2.5 倍のオン電流の変化が引き起こされることが示された。また, 逆狭チャネル効果により超低電圧下でオン電流が6 倍変化することも測定された. 本論文ではSOTB プロセスのバックゲートによる柔軟な閾値制御性を利用したリングオシレータによる閾値変動の測定方法を併せて提案する. |
| （英） | This paper demonstrates notable impact of Vth shift due to STI-induced dopant redistribution on ultra-low voltage designs. 2.5X Ion change at ultra-low voltages due to STI was measured on a 65nm SOTB CMOS process. Serious 6X Ion change due to inverse narrow channel effects was also observed. We propose ring oscillator based measurement procedure observing Vth shift by exploiting flexible Vth controllability by backgate biasing of SOTB process. | |
| キーワード | （和） | FD-SOI / SOTB / プロセスばらつき / STI ストレス効果 / 逆狭チャネル効果 / 超低電圧回路 / / |
| （英） | FD-SOI / SOTB / process variability / STI stress effect / inverese narrow channel effect / ultra-low voltage circuits / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 334, ICD2016-37, pp. 1-6, 2016年11月. | |
| 資料番号 | ICD2016-37 | |
| 発行日 | 2016-11-22 (CPM, ICD, IE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2016-76 ICD2016-37 IE2016-71 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2016-76 ICD2016-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE |
| 開催期間 | 2016-11-28 - 2016-11-30 |
| 開催地（和） | 立命館大学大阪いばらきキャンパス |
| 開催地（英） | Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus |
| テーマ（和） | デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ランダムばらつきが低減されたプロセスにおける超低電圧条件下でのSTIストレス効果と逆狭チャネル効果による閾値ばらつきの実測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of Vth Variation due to STI Stress and Inverse Narrow Channel Effect at Ultra-Low Voltage in a Variability-Suppressed Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | FD-SOI / FD-SOI |
| キーワード(2)（和/英） | SOTB / SOTB |
| キーワード(3)（和/英） | プロセスばらつき / process variability |
| キーワード(4)（和/英） | STI ストレス効果 / STI stress effect |
| キーワード(5)（和/英） | 逆狭チャネル効果 / inverese narrow channel effect |
| キーワード(6)（和/英） | 超低電圧回路 / ultra-low voltage circuits |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小笠原 泰弘 / Yasuhiro Ogasahara / オガサハラ ヤスヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小池 帆平 / Hanpei Koike / コイケ ハンペイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-11-29 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | CPM2016-76, ICD2016-37, IE2016-71 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.333(CPM), no.334(ICD), no.335(IE) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-22 (CPM, ICD, IE) |
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