講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-11-29 09:25
半導体ストレージシステムにおけるSCM, MLC/TLC NANDフラッシュメモリの最適な構成の設計 ○松井千尋・山賀祐典・杉山佑輔・竹内 健(中大) CPM2016-77 ICD2016-38 IE2016-72 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2016-77 ICD2016-38 |
抄録 |
(和) |
さまざまな種類のデータを高速に処理するために,ストレージクラスメモリ(SCM),multi-level cell (MLC)/triple-level cell (TLC) NAND フラッシュメモリを用いたトライハイブリッドストレージシステムを提案する.SCMは高速に読み出し・書き込みを行うが高コストである.一方でTLC NANDフラッシュメモリは大容量で低コストだが,その書き込み・読み出し速度はMLC NANDフラッシュメモリより長い.このようなメモリ特性を考慮し,半導体ストレージの最適なメモリ構成を設計し解析する. |
(英) |
In order to manage wide variety of data at high speed, a tri-hybrid storage system has been proposed with using storage class memory (SCM), multi-cell level (MLC)/triple-level cell (TLC) NAND flash memory. SCM can read and write at high speed, but the cost is high. On the other hand, TLC NAND flash has large capacity with low cost, but the reading and writing speed is longer than that of MLC NAND flash. With considering memory characteristics, optimal memory configuration in the tri-hybrid storage is analyzed. |
キーワード |
(和) |
ストレージクラスメモリ / NANDフラッシュメモリ / 半導体ストレージ / / / / / |
(英) |
Storage class memory / NAND flash memory / semiconductor storage / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 334, ICD2016-38, pp. 7-10, 2016年11月. |
資料番号 |
ICD2016-38 |
発行日 |
2016-11-22 (CPM, ICD, IE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
CPM2016-77 ICD2016-38 IE2016-72 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2016-77 ICD2016-38 |
研究会情報 |
研究会 |
VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE |
開催期間 |
2016-11-28 - 2016-11-30 |
開催地(和) |
立命館大学大阪いばらきキャンパス |
開催地(英) |
Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus |
テーマ(和) |
デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- |
テーマ(英) |
Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2016-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
半導体ストレージシステムにおけるSCM, MLC/TLC NANDフラッシュメモリの最適な構成の設計 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Optimal configuration design of SCM and MLC/TLC NAND flash memory in semiconductor storage system |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
ストレージクラスメモリ / Storage class memory |
キーワード(2)(和/英) |
NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
キーワード(3)(和/英) |
半導体ストレージ / semiconductor storage |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松井 千尋 / Chihiro Matsui / マツイ チヒロ |
第1著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山賀 祐典 / Yusuke Yamaga / ヤマガ ユウスケ |
第2著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
杉山 佑輔 / Yusuke Sugiyama / スギヤマ ユウスケ |
第3著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
第4著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2016-11-29 09:25:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
CPM2016-77, ICD2016-38, IE2016-72 |
巻番号(vol) |
vol.116 |
号番号(no) |
no.333(CPM), no.334(ICD), no.335(IE) |
ページ範囲 |
pp.7-10 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2016-11-22 (CPM, ICD, IE) |