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講演抄録/キーワード
講演名 2016-11-28 15:30
40 nm SiONプロセスにおけるランダムテレグラフノイズ複合欠陥モデルを用いた回路解析手法
籔内美智太郎大島 梓駒脇拓弥小林和淑岸田 亮古田 潤京都工繊大)・Pieter WeckxKUL/IMEC)・Ben KaczerIMEC)・松本高士東大)・小野寺秀俊京大
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抄録 (和) 複合欠陥を考慮したランダムテレグラフノイズ (RTN: Random Telegraph Noise) モデルを用いた回路解析手法を提案する.従来の単一欠陥モデルでは40 nm SiONプロセスのRTNを再現することができない.複合欠陥モデルを用いることでゲート酸化膜におけるHK層とIL層が異なる欠陥特性分布を持つことを考慮した回路解析が可能となる.提案手法では,リングオシレータにおけるRTN発振周波数変動の測定結果から欠陥特性値を推定し,モンテカルロ解析によってRTN発振周波数変動の分布を再現する.試作チップによる測定結果と提案手法によって得られた解析結果を比較したところ,複合欠陥モデルは回路レベルにおけるRTNを正確に再現できることが確認された. 
(英) We propose a circuit analysis method using the bimodal RTN (random telegraph
noise) model of the defect-centric distribution. The conventional unimodal
model fails to replicate the effect of RTN on 40 nm SiON process
circuits. The bimodal model takes into account
defect characteristics of both HK and interface layer in
gate dielectric. The proposed method estimates defect
characteristics and reproduces frequency distributions by
RTN. We confirm the bimodal model fully
replicates the effect of RTN by comparing simulation and
measurement results of 40 nm test chips.
キーワード (和) RTN (Random Telegraph Noise) / defect-centric distribution / ばらつき / 信頼性 / 回路設計 / / /  
(英) RTN (Random Telegraph Noise) / defect-centric distribution / variation / reliability / circuit design / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 330, VLD2016-52, pp. 49-54, 2016年11月.
資料番号 VLD2016-52 
発行日 2016-11-21 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE  
開催期間 2016-11-28 - 2016-11-30 
開催地(和) 立命館大学大阪いばらきキャンパス 
開催地(英) Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus 
テーマ(和) デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2016-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 40 nm SiONプロセスにおけるランダムテレグラフノイズ複合欠陥モデルを用いた回路解析手法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Circuit Simulation Method Using Bimodal Defect-Centric Model of Random Telegraph Noise on 40 nm SiON Process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) RTN (Random Telegraph Noise) / RTN (Random Telegraph Noise)  
キーワード(2)(和/英) defect-centric distribution / defect-centric distribution  
キーワード(3)(和/英) ばらつき / variation  
キーワード(4)(和/英) 信頼性 / reliability  
キーワード(5)(和/英) 回路設計 / circuit design  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 籔内 美智太郎 / Michitarou Yabuuchi / ヤブウチ ミチタロウ
第1著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 梓 / Azusa Oshima / オオシマ アズサ
第2著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 駒脇 拓弥 / Takuya Komawaki / コマワキ タクヤ
第3著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ
第4著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸田 亮 / Ryo Kishida / キシダ リョウ
第5著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 潤 / Jun Furuta / フルタ ジュン
第6著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Pieter Weckx / Pieter Weckx / Pieter Weckx
第7著者 所属(和/英) KU Leuven/Interuniversity Microelectronics Centre (略称: KUL/IMEC)
KU Leuven/Interuniversity Microelectronics Centre (略称: KUL/IMEC)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) Ben Kaczer / Ben Kaczer / Ben Kaczer
第8著者 所属(和/英) Interuniversity Microelectronics Centre (略称: IMEC)
Interuniversity Microelectronics Centre (略称: IMEC)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 高士 / Takashi Matsumoto / マツモト タカシ
第9著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野寺 秀俊 / Hidetoshi Onodera / オノデラ ヒデトシ
第10著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者
発表日時 2016-11-28 15:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2016-52,IEICE-DC2016-46 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.330(VLD), no.331(DC) 
ページ範囲 pp.49-54 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2016-11-21,IEICE-DC-2016-11-21 


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