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講演抄録/キーワード
講演名 2016-11-28 15:05
重イオン照射測定によるFDSOIにおけるFFのソフトエラー耐性の評価
一二三 潤梅原成宏丸岡晴喜古田 潤小林和淑京都工繊大
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抄録 (和) 微細プロセスではレイアウト構造を変更することで様々な影響が及ぶ.本研究では 28 nm と 65 nm の FDSOI プロセスにおいてレイアウト構造の異なる FF を試作,重イオン照射測定を実施しソフトエラー耐性への影響を評価する.65 nm ではレイアウト構造によるソフトエラー耐性への影響は見られなかったが,28 nm ではラッチを構成するトランジスタ間の距離を広いレイアウトで,高い LET を持つ重イオンを照射した場合のソフトエラー耐性が大きく低下することが分かった. 
(英) We evaluate tolerance for soft errors of FFs on a 28/65 nm FDSOI. We fabricated three different layouts of non-redundant FFs with same circuit area and, carried out heavy-ion measurement. Radiation hardbess is
influenced by layout structures. Heavy ion irradiation reveals that the separated diffusion layout structure in 28 nm have 2x more cross section than shared diffusion one by the irradation of 40 MeV-cm2/mg ions. Flip-flops in 65 nm have almost equivalent cross sections at any energies. It is due to flucations of soft error tolerance caused by effects of layout structures of more scaled 28 nm node.
キーワード (和) ソフトエラー / 重イオン / FDSOI / フリップフロップ / / / /  
(英) Soft Error / Heavy Ion / FDSOI / Flip Flop / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 330, VLD2016-51, pp. 43-48, 2016年11月.
資料番号 VLD2016-51 
発行日 2016-11-21 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE  
開催期間 2016-11-28 - 2016-11-30 
開催地(和) 立命館大学大阪いばらきキャンパス 
開催地(英) Ritsumeikan University, Osaka Ibaraki Campus 
テーマ(和) デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2016 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2016-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 重イオン照射測定によるFDSOIにおけるFFのソフトエラー耐性の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of Soft Error Rates of FlipFlops on FDSOI by Heavy Ions 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ソフトエラー / Soft Error  
キーワード(2)(和/英) 重イオン / Heavy Ion  
キーワード(3)(和/英) FDSOI / FDSOI  
キーワード(4)(和/英) フリップフロップ / Flip Flop  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 一二三 潤 / Masashi Hifumi / ヒフミ マサシ
第1著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅原 成宏 / Shigehiro Umehara / ウメハラ シゲヒロ
第2著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸岡 晴喜 / Haruki Maruoka / マルオカ ハルキ
第3著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 潤 / Jun Furuta / フルタ ジュン
第4著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ
第5著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
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講演者
発表日時 2016-11-28 15:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2016-51,IEICE-DC2016-45 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.330(VLD), no.331(DC) 
ページ範囲 pp.43-48 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2016-11-21,IEICE-DC-2016-11-21 


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