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| 講演名 | 2016-11-10 11:00 ［招待講演］SiC トレンチ型DMOS（TED MOS）のチャネル特性に関する研究 ○手賀直樹・久本 大・島 明生・嶋本泰洋（日立）  SDM2016-80 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-80 |
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| 抄録 | （和） | 新型SiC トレンチ型DMOSであるtrench-etched double-diffused MOS (TED MOS)は、従来のDMOS構造にトレンチを形成した構造であり、チャネルが基板に水平に形成される。そのため、TED MOSは3種類のチャネル、つまり、上部、下部、側面に形成されるチャネルを持つ。我々は、この3種類のチャネルの移動と界面準位の関係を詳細に調べた。その結果と、従来構造に比べてTED MOS構造がもつ優位性について報告する。 |
| （英） | We comprehensively studied the channel properties of a silicon carbide trench-etched double-implanted MOS (SiC TED MOS). The TED MOS structure provides three types of channels: trench-side-wall (TSW), top, and bottom. The mobility of the TSW channels is about three times higher than that of the top channel. We report that TED MOS gives more advantageous than conventional SiC trench MOSs. | |
| キーワード | （和） | 炭化珪素 / SiC / トレンチ / DMOS / 移動度 / トラップ / チャージポンピング / 界面準位 |
| （英） | Silicon carbide / SiC / Trench / DMOS / Mobility / Trap / Charge pumping / Interface trap | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 296, SDM2016-80, pp. 9-14, 2016年11月. | |
| 資料番号 | SDM2016-80 | |
| 発行日 | 2016-11-03 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-80 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-11-10 - 2016-11-11 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC トレンチ型DMOS（TED MOS）のチャネル特性に関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Channel Properties of SiC Trench-Etched Double-Implanted MOS (TED MOS) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化珪素 / Silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | トレンチ / Trench |
| キーワード(4)（和/英） | DMOS / DMOS |
| キーワード(5)（和/英） | 移動度 / Mobility |
| キーワード(6)（和/英） | トラップ / Trap |
| キーワード(7)（和/英） | チャージポンピング / Charge pumping |
| キーワード(8)（和/英） | 界面準位 / Interface trap |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 手賀 直樹 / Naoki Tega / テガ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久本 大 / Digh Hisamoto / ダイ ヒサモト |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島 明生 / Akio Shima / シマ アキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋本 泰洋 / Yasuhiro Shimamoto / シマモト ヤスヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-11-10 11:00:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-80 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.296 |
| ページ範囲 | pp.9-14 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-11-03 (SDM) |
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