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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-08-25 10:10 AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製 ○鈴木純一・林 侑介・井上慧史・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  R2016-21 EMD2016-25 CPM2016-34 OPE2016-55 LQE2016-30 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2016-25 CPM2016-34 OPE2016-55 LQE2016-30 |
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| 抄録 | （和） | 高効率III-V/SOIハイブリッドレーザ実現に向け、光閉じ込めも可能なAlInAs酸化電流狭窄構造を有するFabry-Pérot (FP) 共振器レーザを試作し、この方法によるIII-V/SOIハイブリッドレーザとして初めての発振動作を得た。まず、シミュレータによるレーザ特性の見積もりを行い、従来のIII-V族化合物半導体ベースのレーザと同等の低いしきい値電流、高い外部微分量子効率が得られることを示した。つぎに、酸化時の熱処理前後におけるPLスペクトルおよび強度の比較を行い、この酸化プロセスは活性層に影響を与えないことを確認した。同プロセスを用いて5層量子井戸活性層を有するFPレーザを作製した結果、AlInAs未酸化幅4.5 µm、共振器長500 µmの素子において、室温パルス動作下でしきい値電流50 mA、前端面からの外部微分量子効率11%が得られた。 |
| （英） | In order to realize a highly efficient GaInAsP/SOI hybrid laser, we fabricated a GaInAsP/SOI hybrid Fabry-Pérot (FP) laser with AlInAs-oxide confinement structure, resulting in the first lasing operation of this structure. Prior to the fabrication of the laser, the unoxidized AlInAs layer width dependences of fundamental lasing properties were calculated and it was confirmed that threshold current and external differential quantum efficiency comparable to those of conventional III-V base lasers can be attainable. Next, by comparing PL spectra between before and after oxidation of GaInAsP/SOI bonded wafers, almost the same shapes were confirmed, which indicated a negligible influence on the active layer during the thermal oxidation process. Finally, III-V/SOI FP lasers were fabricated, and a threshold current of 50 mA and an external differential quantum efficiency of 11%/facet were obtained for the device with the unoxidezed stripe width of 4.5 µm and the cavity length of 500 µm. | |
| キーワード | （和） | ハイブリッドレーザ / AlInAs酸化狭窄 / プラズマ活性化貼付け / シリコンフォトニクス / / / / |
| （英） | Hybrid laser / AlInAs-oxide confinemenｔ / Plasma activated bonding / Silicon photonics / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 195, LQE2016-30, pp. 9-14, 2016年8月. | |
| 資料番号 | LQE2016-30 | |
| 発行日 | 2016-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2016-21 EMD2016-25 CPM2016-34 OPE2016-55 LQE2016-30 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2016-25 CPM2016-34 OPE2016-55 LQE2016-30 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE EMD R CPM |
| 開催期間 | 2016-08-25 - 2016-08-26 |
| 開催地（和） | 函館ロワジールホテル |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装・信頼性，及び一般（OECC報告） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2016-08-LQE-OPE-EMD-R-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaInAsP/SOI Hybrid Fabry-Perot Laser with AlInAs-oxide Confinement Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハイブリッドレーザ / Hybrid laser |
| キーワード(2)（和/英） | AlInAs酸化狭窄 / AlInAs-oxide confinemenｔ |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ活性化貼付け / Plasma activated bonding |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 純一 / Junichi Suzuki / スズキ ジュンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 侑介 / Yusuke Hayashi / ハヤシ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 慧史 / Satoshi Inoue / イノウエ サトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya / アメミヤ トモヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-08-25 10:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2016-21, EMD2016-25, CPM2016-34, OPE2016-55, LQE2016-30 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.191(R), no.192(EMD), no.193(CPM), no.194(OPE), no.195(LQE) |
| ページ範囲 | pp.9-14 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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