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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-08-03 14:40 ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET ○吉田貴大・井田次郎・堀井隆史（金沢工大）・沖原将生（ラピス）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）  SDM2016-66 ICD2016-34 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-66 ICD2016-34 |
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| 抄録 | （和） | PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN+層から薄いN-層に見直すことで、ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なサブスレッショルド特性（Subthreshold Slope :SS）が出ることを確認した．また，シミュレーションでもN層濃度の違いにより急峻なSS特性が出るボディ電圧の差を再現できた。さらに、シミュレーション解析によりN+層、N-層を使う場合、急峻なSS特性を発生させるには、最適な幅があることが分かった． |
| （英） | We have found out that the super steep Subthreshold Slope (SS) of the PN-body tied SOI FET appeared with the body voltage of below 1V. and the drain voltage of 0.1V when the N layer of the body tied region changes from the N+ to the N- . Device simulations reproduced the difference of the necessity body voltage on appearance of the super steep SS between the N+ and the N-. In addition, results of simulation show the optimized width of N layer with both the N+ and the N-. | |
| キーワード | （和） | SS / SOI MOSFET / BIP / / / / / |
| （英） | SS / SOI MOSFET / BIP / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 172, SDM2016-66, pp. 117-121, 2016年8月. | |
| 資料番号 | SDM2016-66 | |
| 発行日 | 2016-07-25 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-66 ICD2016-34 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-66 ICD2016-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 | 2016-08-01 - 2016-08-03 |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | Central Electric Club |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | PN-Body Tied Super Steep SS FET with Body Bias below 1V and Drain Bias 0.1V |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SS / SS |
| キーワード(2)（和/英） | SOI MOSFET / SOI MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | BIP / BIP |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 貴大 / Takahiro Yoshida / ヨシダ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀井 隆史 / Takashi Horii / ホリイ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沖原 将生 / Masao Okihara / オキハラ マサオ |
| 第4著者 所属（和/英） | ラピスセミコンダクタ株式会社 (略称： ラピス) LAPIS Semiconductor (略称： Lapis) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新井 康夫 / Yasuo Arai / アライ ヤスオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高エネルギー加速器研究機構 (略称： 高エネルギー加速器研究機構) High Energy Accelerator Research Organization (略称： KEK) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-08-03 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-66, ICD2016-34 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.172(SDM), no.173(ICD) |
| ページ範囲 | pp.117-121 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-07-25 (SDM, ICD) |
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