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講演抄録/キーワード
講演名 2016-07-08 13:25
エピタキシャルFePt薄膜における格子歪と規則化の関係
中村将大落合亮真中大)・大竹 充工学院大/中大)・二本正昭中大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2016-14
抄録 (和) L10構造を持つFePt合金膜を磁気記録媒体などに応用するためには,磁化容易軸であるc軸を膜面垂直方向に制御する必要がある.しかしながら,(001)配向した基板や下地層上に形成した場合,c軸が面直に向いたL10(001)結晶に加え,面内を向いたL10(100)や(010)結晶が膜中に混在する可能性が考えられる.c軸を面直方向に制御するためには,FePt膜よりも大きな格子定数を持つ基板上に形成し,膜と基板との格子不整合によって面内方向に引張応力を加えることが有効であると考えられる.本研究では,格子定数の異なる単結晶基板上に10 nm厚のFePt膜を形成し,格子不整合がFePt膜の構造に与える影響について調べた.また,基板だけでなくキャップ層を用いることにより,効果的にc軸を制御が出来ないか検討した.その結果,キャップ層が無い場合,基板と膜でおよそ10%の格子不整合を与えた場合においても,c軸を面直のみに制御することは出来なかったが,キャップ層を用いることで制御可能になり,規則度も向上した. 
(英) In order to apply FePt alloy thin film with L10 structure to magnetic recording media, etc., it is required to control the easy magnetization axis (c-axis) perpendicular to the surface. However, when a film with L10 structure is formed on a (001)-oriented underlayer or substrate, L10(100) and L10(010) variants whose c-axis lies in the film plane may coexist with the L10(001) variant with the c-axis perpendicular to the substrate surface. In order to control the c-axis perpendicular to the surface, it is effective to introduce tensile stress in lateral direction caused by lattice mismatch with the substrate. In the present study, FePt films of 10 nm thickness are prepared on various (001) oxide substrates with different lattice constants. The influences of lattice strain caused by lattice mismatch on the variant orientation and the order degree are investigated. In addition, the effects of cap-layer formed on FePt film are also studied. The results indicate that a larger lattice mismatch is effective in enhancing the growth and ordering of L10(001) variant, and the presence of cap-layer is useful in further promoting the tendency.
キーワード (和) FePt / 薄膜 / L10規則構造 / 格子不整合 / 結晶配向 / エピタキシャル成長 / 単結晶基板 /  
(英) FePt / thin film / L10 ordered structure / lattice strain / crystallographic orientation / epitaxial growth / single-crystal substrate /  
文献情報 信学技報, vol. 116, 2016年7月.
資料番号  
発行日 2016-07-01 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2016-07-08 - 2016-07-08 
開催地(和) 中央大学 
開催地(英) Chuo Univ. 
テーマ(和) 固体メモリ・媒体,一般 
テーマ(英) Solid State Memory, Media, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2016-07-MR-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) エピタキシャルFePt薄膜における格子歪と規則化の関係 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Relationship between Lattice Strain and L10 Ordering in Epitaxial FePt Films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) FePt / FePt  
キーワード(2)(和/英) 薄膜 / thin film  
キーワード(3)(和/英) L10規則構造 / L10 ordered structure  
キーワード(4)(和/英) 格子不整合 / lattice strain  
キーワード(5)(和/英) 結晶配向 / crystallographic orientation  
キーワード(6)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxial growth  
キーワード(7)(和/英) 単結晶基板 / single-crystal substrate  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 将大 / Masahiro Nakamura / ナカムラ マサヒロ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 落合 亮真 / Ryoma Ochiai / オチアイ リョウマ
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル
第3著者 所属(和/英) 工学院大学/中央大学 (略称: 工学院大/中大)
Kogakuin University/Chuo University (略称: Kogakuin Univ./Chuo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ
第4著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino / フミヨシ キリノ
第5著者 所属(和/英) 東京藝術大学 (略称: 東京藝術大)
Tokyo University of the Arts (略称: Tokyo Univ. Arts)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲葉 信幸 / Nobuyuki Inaba / ノブユキ イナバ
第6著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
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講演者
発表日時 2016-07-08 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 IEICE-MR2016-14 
巻番号(vol) IEICE-116 
号番号(no) no.125 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-MR-2016-07-01 


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