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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-07-08 14:15 Co_2FeSi/MgO界面での酸素導入による垂直磁気異方性の発現 ○篠原光貴・鈴木隆寛・高村陽太・中川茂樹（東工大）  MR2016-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2016-16 |
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| 抄録 | （和） | 強磁性トンネル接合素子（MTJ）に応用可能なスピン分極率が100％のハーフメタル強磁性体として期待されているCo基フルホイスラー合金Co_2FeSi(CFS)薄膜に対して，垂直磁気異方性を付与させることを試みた．CFS薄膜上にMgOを積層した構造において，CFSの膜厚を0.7 nm以下にすることで垂直磁気異方性を付与させることに成功した．またこの垂直磁気異方性の起源がCFS/MgO界面にあることを発見した．さらにCFSを成膜後，一定量の酸素曝露を行った後にMgOを積層した構造においては，従来のCFSとMgOの積層構造よりもCFS/MgO界面で強い垂直磁気異方性が生じ，より安定な垂直磁化膜が得られることを確認した．この酸素曝露プロセスの導入は界面状態を制御する手法の１つとして有効であり，ハーフメタル強磁性と垂直磁気異方性を同時に実現する強磁性薄膜の形成を可能にする． |
| （英） | We attempted to add perpendicular magnetic anisotropy (PMA) to half-metallic full-Heusler Co_2FeSi (CFS) alloy thin films with potential application in magnetic tunnel junction (MTJ). CFS/MgO stacked structure showed PMA by setting the thickness of CFS below 0.7 nm. It was confirmed PMA is originated from CFS/MgO interfaces. Furthermore, we found that more stable PMA was obtained by introducing oxygen exposure process after the deposition of CFS layer before the preparation of MgO layer. This process is very useful as a method to modify the structure and chemical state at the interface and effective to form ferromagnetic CFS layers with both half-metallic ferromagnetism and PMA. | |
| キーワード | （和） | フルホイスラー合金 / 垂直磁気異方性 / ハーフメタル強磁性体 / 界面磁気異方性 / 磁気ランダムアクセスメモリ / / / |
| （英） | Full-Heusler alloys / Perpendicular magnetic anisotropy / Half-metallic ferromagnets / Interfacial magnetic anisotropy / Magnetic random access memory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, 2016年7月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2016-07-01 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2016-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2016-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2016-07-08 - 2016-07-08 |
| 開催地（和） | 中央大学 |
| 開催地（英） | Chuo Univ. |
| テーマ（和） | 固体メモリ・媒体，一般 |
| テーマ（英） | Solid State Memory, Media, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2016-07-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Co_2FeSi/MgO界面での酸素導入による垂直磁気異方性の発現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Perpendicular magnetic anisotropy induced by oxygen exposure at Co_2FeSi/MgO interfaces |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フルホイスラー合金 / Full-Heusler alloys |
| キーワード(2)（和/英） | 垂直磁気異方性 / Perpendicular magnetic anisotropy |
| キーワード(3)（和/英） | ハーフメタル強磁性体 / Half-metallic ferromagnets |
| キーワード(4)（和/英） | 界面磁気異方性 / Interfacial magnetic anisotropy |
| キーワード(5)（和/英） | 磁気ランダムアクセスメモリ / Magnetic random access memory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 光貴 / Koki Shinohara / シノハラ コウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 隆寛 / Takahiro Suzuki / スズキ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高村 陽太 / Yota Takamura / タカムラ ヨウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-07-08 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2016-16 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.125 |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-07-01 (MR) |
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