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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-17 13:15 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作 ○西山哲央・松本恵一・岸川純也・大貫雄也・鎌田直樹・下村和彦（上智大）  OPE2016-12 LQE2016-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2016-12 LQE2016-22 |
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| 抄録 | （和） | 直接貼付法を用いて薄膜InP層とSi基板を貼合わせ、作製されたInP/Si基板上に結晶成長を行うことでシリコンプラットフォーム上に光デバイス集積を実現する手法を提案してきた。今回、MOVPE法によりInP/Si基板上にGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積を行い、電流注入による低温発振特性の評価を行ったのでその結果を報告する。 |
| （英） | Integration technique of optical devices on silicon platform have been proposed. This technique uses direct bonded thin film InP and Si substrate, and follow the semiconductor crystal growth, the fabrication process of devices. In this report, we show the fabrication of GaInAsP double hetero laser, and its low-temperature lasing characteristics. | |
| キーワード | （和） | InP / Si / 直接貼付 / MOVPE / 集積 / 光デバイス / レーザ / |
| （英） | InP / Si / direct wafer bonding / MOVPE / integration / optical device / semiconductor laser / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 102, OPE2016-12, pp. 15-20, 2016年6月. | |
| 資料番号 | OPE2016-12 | |
| 発行日 | 2016-06-10 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2016-12 LQE2016-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2016-12 LQE2016-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE |
| 開催期間 | 2016-06-17 - 2016-06-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2016-06-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaInAsP laser using directly bonded InP/Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | 直接貼付 / direct wafer bonding |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | 集積 / integration |
| キーワード(6)（和/英） | 光デバイス / optical device |
| キーワード(7)（和/英） | レーザ / semiconductor laser |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 哲央 / Tetsuo Nishiyama / ニシヤマ テツオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 恵一 / Keiichi Matsumoto / マツモト ケイイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸川 純也 / Jyunya Kishikawa / キシカワ ジュンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大貫 雄也 / Yuya Onuki / オオヌキ ユウヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 直樹 / Naoki Kamada / カマダ ナオキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下村 和彦 / Kazuhiko Shimomura / シモムラ カズヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-17 13:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2016-12, LQE2016-22 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.102(OPE), no.103(LQE) |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-06-10 (OPE, LQE) |
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