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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-09 10:50 デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ～ バックチャネルキャリア濃度の影響 ～ ○是友大地・戸田達也（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・古田 守（高知工科大）  SDM2016-14 OME2016-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-14 OME2016-14 |
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| 抄録 | （和） | デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル領域のキャリア濃度を部分的に変化させ、TFT特性への影響を検討した。結果、バックチャネル側に部分的に高キャリア濃度層が形成されることで伝導電子（キャリア）輸送メカニズムが変化し、実効チャネル長の減少に伴うドレイン電流の増大を確認した。この現象は物理的実験でも対応する結果が得られており、チャネル内に部分的な高キャリア濃度層（チャネル長定義域内で不連続性を有する高キャリア濃度層）を形成する事で短チャネルTFTを作製できる新たなアプローチを示した。 |
| （英） | The influence of high carrier concentration region in In-Ga-Zn-O (IGZO ) on the electrical properties of a bottom-gate IGZO TFT was investigated by varying the sheet carrier concentration (Ns). Device simulation and experimental results clarified that the current flow line in the channel and an effective channel length were strongly influenced by the high carrier concentration region formed at a back-channel interface. This result indicated that the IGZO TFT with double active layers can fabricate short channel TFT. | |
| キーワード | （和） | InGaZnO (IGZO) / 薄膜トランジスタ (TFT) / デバイスシミュレーション / ATLAS / / / / |
| （英） | InGaZnO (IGZO) / Thin-Film transistor (TFT) / Device simulation / ATLAS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-14, pp. 57-60, 2016年4月. | |
| 資料番号 | SDM2016-14 | |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-14 OME2016-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2016-14 OME2016-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2016-04-08 - 2016-04-09 |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 |
| サブタイトル（和） | バックチャネルキャリア濃度の影響 |
| タイトル（英） | Device simulation analysis of carrier transport in In-Ga-Zn-O thin-film transistors |
| サブタイトル（英） | Influence of carrier concentration in back-channel region |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnO (IGZO) / InGaZnO (IGZO) |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ (TFT) / Thin-Film transistor (TFT) |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| キーワード(4)（和/英） | ATLAS / ATLAS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 是友 大地 / Daichi Koretomo / コレトモ ダイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi Univercity of Technology (略称： KUT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 戸田 達也 / Tatsuya Toda / トダ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi Univercity of Technology (略称： KUT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 守 / Mamoru Furuta / |
| 第5著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi Univercity of Technology (略称： KUT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-04-09 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-14, OME2016-14 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.57-60 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
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