講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-04-08 14:20
[招待講演]Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 ○志村洋介(静岡大)・竹内和歌奈・坂下満男・黒澤昌志・中塚 理・財満鎭明(名大) SDM2016-5 OME2016-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-5 OME2016-5 |
抄録 |
(和) |
Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御が可能なSn系IV族半導体混晶が注目されている。我々は非平衡成長により固溶限を超えるSn原子の導入を達成し、その安定化に歪が大きく関与していることを見出した。また、様々なIV族半導体元素からなる多元系混晶の高品質薄膜成長に成功し、それらの物性評価を行った。特にエネルギーバンド構造の実験的評価により、Sn系IV族半導体混晶の光学デバイス応用への展望が大きく開けた。 |
(英) |
Strain and energy band structure can be designed in Sn-containing group-IV semiconductor alloys. Moreover, as these new semiconductor materials are compatible with a conventional Si process, they are fascinating materials to be implemented into both electronic and optoelectronic devices to realize an integration of them on a Si substrate. We have achieved to grow those epitaxial layers with stabilized high amount of Sn by non-equilibrium growth and controlling strain. Characterization of binary and ternary Sn-containing group-IV alloys, especially the experimentally confirmed their energy band structure, represents a prospect of monolithic integration of everything on a chip. |
キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / Sn / 歪 / エネルギーバンド構造 / / / / |
(英) |
Si-photonics / Sn / strain / energy band structure / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-5, pp. 23-26, 2016年4月. |
資料番号 |
SDM2016-5 |
発行日 |
2016-04-01 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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