講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-01-29 10:45
減圧CVD成長によってサファイア基板上に作製した六方晶BN薄膜の発光特性 ○清水乙生・梅原直己・増田 敦・渡辺佳那・光野徹也・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2015-38 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2015-38 |
抄録 |
(和) |
BCl3とNH3を原料とする減圧CVDにより,c面サファイア基板上に作製した六方晶窒化ホウ素薄膜について,カソードルミネッセンス(CL)による発光特性の評価を行った.成長温度1200 Cにおいて成長圧力を20から5 kPaに減少させることにより,214 nmをピークとするバンド端発光が増大した.高品質バルク結晶との比較から,この発光は自由励起子発光と同定された.また,CL測定時の電子線加速電圧依存性より,薄膜の成長に伴って発光特性が改善することがわかった.これらのCL特性とその各種成長条件依存性に基づいて,成長反応と膜質形成過程が膜質に与える影響について考察を行った. |
(英) |
The luminescence property of the hexagonal boron nitride (h-BN) thin films grown on c-plane sapphire substrates by chemical vapor deposition using BCl3 and NH3 as sources was characterized by cathodoluminescence (CL). The intensity of the emission band located at 214 nm, which can be ascribed to the recombination of free excitons of h-BN by comparison with that of the h-BN bulk crystal, increased with decreasing a reactor pressure from 20 to 5 kPa at a growth temperature of 1200 C. The influences of growth reaction and film formation on the film quality were discussed in terms of the observed CL properties and its dependence on growth conditions. |
キーワード |
(和) |
六方晶窒化ホウ素 / CVD / 薄膜 / カソードルミネッセンス / 励起子発光 / / / |
(英) |
hexagonal boron nitride / CVD / thin film / cathodoluminescence / excitonic luminescence / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 439, EID2015-38, pp. 97-100, 2016年1月. |
資料番号 |
EID2015-38 |
発行日 |
2016-01-21 (EID) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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