| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-21 11:10 SFQマスクROM用各種メモリセルの設計と動作検証 ○澤田和直・渡邉智希（電通大）・島田 宏・水柿義直（電通大/JST）  SCE2015-40 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2015-40 |
|
| 抄録 | （和） | 超伝導単一磁束量子回路を用いてSFQマスクROM用各種メモリセルの開発を行った。SFQマスクROMは最終的に次世代交流電圧標準向けSFQ-D/A変換器と組み合わせて使用する目的で開発を行っている。SFQ-D/A変換器と同一チップに実装するためにはROMの回路実装面積を一定の大きさ以下にする必要があるが、既存のセルライブラリを用いると実装面積が大きくなりすぎてしまう。そこでROM専用のセルを設計し、実装面積の削減を試みた。本研究で取り上げるセルでは、冗長な素子やセル内の空きスペースを減らすことで、既存セルライブラリ比65%の面積削減に成功した。AIST-STP2プロセスを用いて試作されたチップを4.2 K下で測定したところ、シミュレーションと同等の十分な動作余裕度を得ることができた。 |
| （英） | We developed memory cells for an SFQ mask ROM that will be implemented with an SFQ-D/A converter, a candidate of next-generation AC voltage standards. The area occupancy of the SFQ mask ROM is required to be small enough for implementation on the same chip with the SFQ-D/A converter. We had first designed and tested SFQ ROM cells using an existing library. Although they worked correctly, we found that the cell sizes were large, not acceptable for high-density integration. Hence, we developed small ROM cells dedicated for the SFQ mask ROM. The cell areas are 65% reduced by eliminating verbose elements and unused spaces. We have measured test circuits fabricated using a Nb integration technology, and confirmed that the bias margins are almost the same magnitude as the simulation results. | |
| キーワード | （和） | マスクROM / 単一磁束量子 / ジョセフソン効果 / 超伝導集積回路 / Nb/AlO2/Nb / / / |
| （英） | Mask ROM / Single Flux Quantum / Josephson effect / Superconducting integrated circuits / NbAlO2/Nb / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 412, SCE2015-40, pp. 23-28, 2016年1月. | |
| 資料番号 | SCE2015-40 | |
| 発行日 | 2016-01-14 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2015-40 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2015-40 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2016-01-21 - 2016-01-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜、SQUID及びその応用、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2016-01-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SFQマスクROM用各種メモリセルの設計と動作検証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of various memory cells designed for SFQ mask ROM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マスクROM / Mask ROM |
| キーワード(2)（和/英） | 単一磁束量子 / Single Flux Quantum |
| キーワード(3)（和/英） | ジョセフソン効果 / Josephson effect |
| キーワード(4)（和/英） | 超伝導集積回路 / Superconducting integrated circuits |
| キーワード(5)（和/英） | Nb/AlO2/Nb / NbAlO2/Nb |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤田 和直 / Kazunao Sawada / サワダ カズナオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 智希 / Tomoki Watanabe / ワタナベ トモキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島田 宏 / Hiroshi Shimada / シマダ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学/国立研究開発法人科学技術振興機構, CREST (略称： 電通大/JST) University of Electro-Communications/Japan Science and Technology Agency (略称： UEC/JST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水柿 義直 / Yoshinao Mizugaki / ミズガキ ヨシナオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学/国立研究開発法人科学技術振興機構, CREST (略称： 電通大/JST) University of Electro-Communications/Japan Science and Technology Agency (略称： UEC/JST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-21 11:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2015-40 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.412 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-01-14 (SCE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]