講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-12-21 15:00
グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出 ○玉虫 元・菅原健太・佐藤 昭・田島圭一郎・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一(東北大) ED2015-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-95 |
抄録 |
(和) |
半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラフェンチャネルFET (G-FETs)を試作し,その電気的特性の評価を行う.従来のG-FET真性パラメータ抽出法における問題点を解消するため,チャネル内n-iおよびn-p接合におけるトンネル抵抗および熱電子放出抵抗を加味したモデルを新たに構築する.測定により得られた入出力電圧電流特性に対しカーブフィッティングを適用して真性パラメータの抽出を行う. |
(英) |
We fabricate and characterize the graphene-channel FETs (G-FETs) made of high-quality epitaxial graphene (EG) grown by thermal decomposition of a semi-insulating 4H-SiC(0001 ̅) substrate. To resolve the problems of a conventional method for extracting the intrinsic G-FET parameters, we develop a new model accounting for the tunneling and thermionic-emission resistances at n-i and n-p junctions in the G-FET channel. We then extract the intrinsic parameters by curve-fitting the measured current-voltage transfer characteristics. |
キーワード |
(和) |
グラフェン / FET / トンネル抵抗 / 熱電子放出抵抗 / フィッティング / 移動度 / / |
(英) |
Graphene / FET / tunneling resistance / thermionic-emission resistance / fitting / mobility / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 387, ED2015-95, pp. 25-30, 2015年12月. |
資料番号 |
ED2015-95 |
発行日 |
2015-12-14 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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