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講演抄録/キーワード
講演名 2015-12-18 09:00
65nmバルクとThin BOX FD-SOIプロセスにおける冗長化フリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価
曽根崎詠二久保田勘人増田政基神田翔平古田 潤小林和淑京都工繊大
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抄録 (和) 集積回路の微細化に伴って、ソフトエラーにより信頼性の低下が顕在化している。ソフトエラーの対策技術としてTMRFFのような冗長化回路が多数提案されているが、冗長化回路は面積・消費電力が増大する。面積を削減するのは困難であるが、消費電力は低消費電力技術を用いることで削減できる。そこで、我々の研究グループでは高信頼性回路であるBCDMR構造とDICE構造に低消費電力技術を組み合わせたBCDMRACFFとDICEACFFを提案した。本稿では、65nm バルクとThin BOX FD-SOIプロセスでテストチップを試作し、BCDMRACFFとDICEACFFのソフトエラー耐性を評価した。バルクプロセスではBCDMRACFFとDICEACFFのソフトエラー耐性はそれぞれTGFFの20倍と17倍であった。Thin BOX FD-SOIでは両回路合わせてソフトエラーが一つしか発生せず、非常に高いソフトエラー耐性であることを示した。 
(英) According to process down scaling, LSI becomes less reliable for soft errors. To increase the tolerance of FFs for soft errors, several redundant FF structures are proposed such as the TMR FF. However, the
redundant FF has large area and power consumption overhead. Although it is very hard to reduce the area overhead, the power consumption overhead can be reduced to adapt low power consumption techniques. We
proposed a low power consumption redundant FFs (BCDMRACFF, DICEACFF) by combining conventional redundant FFs (BCDMRFF, DICEFF) and low power consumption techniques. We evaluated tolerance for soft error of proposed FFs in 65nm Bulk and Thin BOX FD-SOI. In Bulk, tolerance of BCDMRACFF and DICEACFF have 20 and 17 times higher than TGFF, respectively. In Thin BOX FD-SOI, number of error in proposed FFs is only one. Thin BOX FD-SOI + BCDMR or DICE have very high tolerance for soft error.
キーワード (和) ソフトエラー / BCDMR / 重イオン / 低消費電力 / 冗長化 / / /  
(英) Soft error / BCDMR / redundant FF / heavy Ion / low power consumption / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 373, ICD2015-83, pp. 69-74, 2015年12月.
資料番号 ICD2015-83 
発行日 2015-12-10 (ICD, CPSY) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 ICD CPSY  
開催期間 2015-12-17 - 2015-12-18 
開催地(和) 京都工芸繊維大学 
開催地(英) Kyoto Institute of Technology 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2015-12-ICD-CPSY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 65nmバルクとThin BOX FD-SOIプロセスにおける冗長化フリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of Soft Error Tolerance of Redundant Flip-Flop in 65nm Bulk and FD-SOI Processes. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ソフトエラー / Soft error  
キーワード(2)(和/英) BCDMR / BCDMR  
キーワード(3)(和/英) 重イオン / redundant FF  
キーワード(4)(和/英) 低消費電力 / heavy Ion  
キーワード(5)(和/英) 冗長化 / low power consumption  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 曽根崎 詠二 / Eiji Sonezaki / ソネザキ エイジ
第1著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 久保田 勘人 / Kubota Kanto / クボタ カント
第2著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 増田 政基 / Masaki Masuda / マスダ マサキ
第3著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 神田 翔平 / Shohei Kanda / カンダ ショウヘイ
第4著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 潤 / Jun Furuta / フルタ ジュン
第5著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi /
第6著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
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講演者
発表日時 2015-12-18 09:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2015-83,IEICE-CPSY2015-96 
巻番号(vol) IEICE-115 
号番号(no) no.373(ICD), no.374(CPSY) 
ページ範囲 pp.69-74 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2015-12-10,IEICE-CPSY-2015-12-10 


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