講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-10-30 11:15
InP(001)微傾斜基板上における多重積層InAs量子ドットレーザの諸特性 ○赤羽浩一・梅沢俊匡・松本 敦・山本直克(NICT) OCS2015-73 OPE2015-123 LQE2015-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2015-123 LQE2015-92 |
抄録 |
(和) |
これまでに我々はInP(001)微傾斜基板上において歪補償法を用いた自己組織化InAs量子ドットの多重積層構造の形成を行い、これを用いたブロードエリアレーザを作製した。作製したレーザにおいては量子ドットの基底準位である1576 nmの発振が得られた。外部量子効率の共振器依存性から得られた内部量子効率、内部損失はそれぞれ59%、130cm-1であった。また、しきい値電流の温度特性の指標である特性温度において100Kを超える高い値が得られた。 |
(英) |
We fabricated broad-area laser diodes consisting of 30-layer stacks of InAs quantum dots by using a strain-compensation technique on a vicinal (001)InP substrate. These laser diodes exhibit ground-state lasing at 1576 nm in the pulsed mode. The internal quantum efficiency and internal loss were estimated to be 59% and 130 cm-1. A high characteristic temperature of 111 K was also obtained from the measurement of temperature dependence of threshold current. |
キーワード |
(和) |
量子ドット / 歪補償 / 特性温度 / 微傾斜基板 / 分子線エピタキシー / / / |
(英) |
quantum dot / strain-compensation / characteristic temperature / vicinal substrate / molecular beam epitaxy / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 278, LQE2015-92, pp. 159-162, 2015年10月. |
資料番号 |
LQE2015-92 |
発行日 |
2015-10-22 (OCS, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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