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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-08-11 11:40 シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響 ○高見貴弘・和田 誠・遠田義晴（弘前大）  CPM2015-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2015-45 |
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| 抄録 | （和） | 特定の条件下で形成されたシリコン酸窒化膜（SiON膜）において、X線光電子分光の内殻準位スペクトルの化学シフトピーク位置が、通常のSiON膜やシリコン酸化膜の化学シフト位置に比べ異常に高結合エネルギー側へシフトした成分が観測された。この異常化学シフトが生じている試料に対し、試料バイアス電圧印加やアルカリ金属（Cs）の表面蒸着を行い、その影響を調べ異常化学シフトの原因を探った。正バイアス電圧を印加した場合、異常化学シフトは通常の化学シフト位置へと近づき、両成分は重なりブロードな１つの成分を形成した。Csを蒸着した場合も、異常化学シフトは正バイアス電圧印加と同様な振る舞いを示した。これら結果より、異常化学シフトはSiON層の部分的なチャージアップが原因で発生すると考えられる。 |
| （英） | For silicon oxynitride (SiON) layers formed under specific conditions, unusual core-level spectra, which have large chemical shifts compared with normal spectra for SiON or SiO2 layers, have been observed in XPS measurements. To clarify the origin of the unusual chemical shifts, effects of sample bias and surface adsorbates on the chemical shifts were investigated. When the sample was biased positively, the unusual chemical-shift component moved toward normal value and consequently overlapped with the normal component. Furthermore, when a monolayer of Cs metal was deposited on the surface, the chemical-shift components showed the same behavior as the positively biased sample. Therefore, we consider that the unusual chemical shifts observed in this study are due to partially charged regions in SiON layers. | |
| キーワード | （和） | シリコン酸窒化膜 / 内殻準位化学シフト / チャージアップ / / / / / |
| （英） | Silicon Oxynitride / Core-Level Chemical Shift / Charging / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 179, CPM2015-45, pp. 71-74, 2015年8月. | |
| 資料番号 | CPM2015-45 | |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2015-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2015-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2015-08-10 - 2015-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般（弘前大学電子情報工学科） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2015-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコン酸窒化膜の内殻準位異常シフトに対する表面吸着種の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of surface adsorbate on chemical shifts of core-level spectra for silicon oxinitride film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン酸窒化膜 / Silicon Oxynitride |
| キーワード(2)（和/英） | 内殻準位化学シフト / Core-Level Chemical Shift |
| キーワード(3)（和/英） | チャージアップ / Charging |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高見 貴弘 / Takahiro Takami / タカミ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 和田 誠 / Makoto Wada / ワダ マコト |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-08-11 11:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2015-45 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.179 |
| ページ範囲 | pp.71-74 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) |
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