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| 講演名 | 2015-08-10 13:40 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響 ○土屋政人・村上和輝・佐藤達人・高見貴弘・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大）  CPM2015-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2015-32 |
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| 抄録 | （和） | CH4、N2および希釈ガスとしてArを用い、基板バイアスにパルスバイアスを用いたRFプラズマCVD法により、基板パルスバイアスのデューティ比を変化させDLC薄膜およびN添加DLC(N-DLC)薄膜を作製し、構造、電気的特性などを評価した。また、P形Si基板上にN-DLCを成膜することでヘテロ接合を作製し、その電気的特性を評価した。デューティ比を増加させると、sp2炭素のクラスタリングが促進されることがわかった。一方、N-DLCの比抵抗はデューティ比に対してほとんど変化せず、10-2 Ω·cm台の小さな値を示した。また、ヘテロ接合は整流特性を示すことが確認され、電圧±0.5 Vでの整流比は35.9であった。 |
| （英） | We have deposited nitrogen-doped diamond-like carbon (N-DLC) films by RF plasma-enhanced chemical vapor deposition using CH4, N2, and Ar as a dilution gas and substrate pulsed biases with different duty ratios, and investigated the structure and chemical bonding, the surface morphology, and the mechanical and electrical properties of the films. We also prepared N-DLC on P-type silicon substrate to form a hetero junction and characterized its electrical properties. We found that the increase in duty ratio caused clustering of sp2 carbon atoms in the films. On the other hand, the resistivity of the films remained almost unchanged at the order of 10-2 Ω·cm. We confirmed that the hetero junction showed rectifying characteristics, whose rectification ratio was 35.9 at ±0.5 V. | |
| キーワード | （和） | ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長法 / 窒素 / 基板パルスバイアス / 太陽電池 / / / |
| （英） | Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Nitrogen / Substrate pulsed bias / Solar cell / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 179, CPM2015-32, pp. 7-10, 2015年8月. | |
| 資料番号 | CPM2015-32 | |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2015-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2015-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2015-08-10 - 2015-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般（弘前大学電子情報工学科） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2015-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of substrate bias on properties of nitrogen-doped DLC films prepared by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ化学気相成長法 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素 / Nitrogen |
| キーワード(4)（和/英） | 基板パルスバイアス / Substrate pulsed bias |
| キーワード(5)（和/英） | 太陽電池 / Solar cell |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 政人 / Masato Tsuchiya / ツチヤ マサト |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 和輝 / Kazuki Murakami / ムラカミ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 達人 / Tatsuhito Satou / サトウ タツヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高見 貴弘 / Takahiro Takami / タカミ タカヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-08-10 13:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2015-32 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.179 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-03 (CPM) |
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