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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-06-19 14:55 Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 ○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2015-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-50 |
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| 抄録 | （和） | Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制御が重要である。我々は、Al/Al2O3/GeO2/Ge1-xSnx/p-Ge(001)構造MOSキャパシタの作製、および電気的特性の評価によって、Ge1-xSnx薄膜中の欠陥の消滅・形成へのSn組成と熱処理温度・雰囲気の影響を詳細に調べた。Ge1-xSnx層への転位の導入を抑制するように熱処理温度を増大することで、欠陥密度を低減できる。また、欠陥準位のエネルギー深さは、Sn組成が6%と高いときのみ熱処理によって減少することがわかった。これは熱処理に伴うSnに関連した欠陥の形成を示唆している。 |
| （英） | In order to control the carrier concentration in Ge1-xSnx epitaxial layer, it is important to understand and control defects in Ge1-xSnx, which form an acceptor-like state in the forbidden band. We examined the fabrication and the electric measurements of Al/Al2O3/GeO2/Ge1-xSnx/p-Ge(001) MOS capacitors, and investigated in detail the influence of the Sn content, and temperature and ambient of post deposition annealing (PDA) on the annihilation and formation of defects in Ge1-xSnx epitaxial layers. The acceptor density can be reduced by increasing the PDA temperature, which does not cause the introduction of dislocations in Ge1-xSnx layer. Also, the energy of the defect state decreases after PDA only for a high-Sn-content Ge1-xSnx, indicating the formation of Sn-related defects by PDA. | |
| キーワード | （和） | Ge1-xSnx / エピタキシャル成長 / 欠陥 / 電気特性 / / / / |
| （英） | Ge1-xSnx / epitaxial growth / defects / electrical property / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 108, SDM2015-50, pp. 63-68, 2015年6月. | |
| 資料番号 | SDM2015-50 | |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-06-19 - 2015-06-19 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of annealing on defects in Ge1-xSnx epitaxial layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge1-xSnx / Ge1-xSnx |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | 欠陥 / defects |
| キーワード(4)（和/英） | 電気特性 / electrical property |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅野 孝典 / Takanori Asano / アサノ タカノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-06-19 14:55:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-50 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.108 |
| ページ範囲 | pp.63-68 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
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