講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-06-19 15:15
スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ ○植竹理人・高林和雅・木村徳治・山本剛之(富士通研)・山口正臣・高田 幹・武政敬三・菅原 充(QDレーザ)・荒川泰彦(東大) OPE2015-17 LQE2015-27 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2015-17 LQE2015-27 |
抄録 |
(和) |
シリコン(Si)基板上への高密度な光集積を可能にするSiフォトニクス技術は、小型・大容量な光送受信器を実現する上で有望な技術として期待されている。現在、Siフォトニクスに搭載する光源には、化合物半導体レーザが用いられ、特に優れた温度特性を有する量子ドットレーザ(QD-LD)が注目されている。しかしながら、シリコンチップに搭載したQD-LDは、QD-LDの狭い垂直方向のスポットサイズによりSi導波路との結合損失が大きい傾向にあった。今回、出射端に向けて徐々に厚さが薄くなる膜厚テーパ型のスポットサイズ変換器を波長1.3 μm帯の QD-LDに集積し、23°以下の狭い垂直方向のビーム放射角を実現したので報告する。 |
(英) |
Silicon (Si) photonics is a promising technology for compact, large-capacity optical transmitters and receivers. As a light source for the Si photonics, compound semiconductor laser diodes are currently used. Quantum-dot laser diodes (QD-LDs) are attractive light sources for the Si photonics because their light output characteristics are insensitive to temperature. However, coupling efficiency between QD-LDs and Si waveguides is relatively low because the spot size of QD-LDs is small. In this work, we have demonstrated narrow far-field patterns less than 23° by 1.3-μm QD-LDs integrated with a thickness tapered waveguide as a spot-size converter. |
キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / 量子ドットレーザ / スポットサイズ変換器 / ファーフィールドパターン / / / / |
(英) |
Silicon photonics / Quantum-dot laser diodes / Spot-size converter / Narrow far-field patterns / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 107, LQE2015-27, pp. 35-38, 2015年6月. |
資料番号 |
LQE2015-27 |
発行日 |
2015-06-12 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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