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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-05-22 11:25 結晶セレン/酸化ガリウムヘテロ接合ダイオードを積層した高感度イメージセンサ ○為村成亨・菊地健司・宮川和典・大竹 浩・久保田 節（NHK）・中田時夫（東京理科大）・沖野 徹・廣瀬 裕・加藤剛久（パナソニック）・寺西信一（兵庫県立大）  LQE2015-13 エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2015-13 |
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| 抄録 | （和） | 結晶セレン（crystalline selenium: c-Se）を光電変換膜として適用した積層型CMOSイメージセンサを開発した．n型ワイドギャップ半導体である酸化ガリウム（gallium oxide: Ga2O3）を，外部電極からの注入電荷に対する正孔障壁として用いることで，暗電流の大幅な低減を実現した．また，c-Seの膜厚を変えることで結晶粒径の制御を行い、画素サイズよりも十分小さくすることで，初めて高画質な映像の撮影に成功した． |
| （英） | We have developed an stacked image sensor using a thin-film crystalline selenium (c-Se) as a photoconversion layer. The dark current was significantly decreased by applying an n-type wide-band-gap gallium oxide (Ga2O3) layer as a high hole-barrier against injected carriers. We herein present the first high-resolution images obtained with such a device by changing the thickness of c-Se films to decrease a size of particles much smaller than the pixel size. | |
| キーワード | （和） | CMOSイメージセンサ / 結晶セレン / 酸化ガリウム / ヘテロ接合ダイオード / 暗電流 / / / |
| （英） | CMOS image sensor / crystalline selenium / gallium oxide / heterojunction photodiode / dark current / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 46, LQE2015-13, pp. 63-67, 2015年5月. | |
| 資料番号 | LQE2015-13 | |
| 発行日 | 2015-05-14 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2015-13 エレソ技報アーカイブへのリンク：LQE2015-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE LSJ |
| 開催期間 | 2015-05-21 - 2015-05-22 |
| 開催地（和） | 金沢能楽美術館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 量子光学，非線形光学，超高速現象，レーザ基礎，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2015-05-LQE-LSJ |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 結晶セレン/酸化ガリウムヘテロ接合ダイオードを積層した高感度イメージセンサ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Sensitivity Image Sensor Overlaid with Thin-Film Crystalline Selenium/Gallium Oxide Heterojunction Photodiode |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶セレン / crystalline selenium |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化ガリウム / gallium oxide |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ接合ダイオード / heterojunction photodiode |
| キーワード(5)（和/英） | 暗電流 / dark current |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 為村 成亨 / Shigeyuki Imura / イムラ シゲユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本放送協会 (略称： NHK) Japan Broadcasting Corporation (略称： NHK) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊地 健司 / Kenji Kikuchi / キクチ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本放送協会 (略称： NHK) Japan Broadcasting Corporation (略称： NHK) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮川 和典 / Kazunori Miyakawa / ミヤカワ カズノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本放送協会 (略称： NHK) Japan Broadcasting Corporation (略称： NHK) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大竹 浩 / Hiroshi Ohtake / オオタケ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本放送協会 (略称： NHK) Japan Broadcasting Corporation (略称： NHK) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保田 節 / Misao Kubota / クボタ ミサオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本放送協会 (略称： NHK) Japan Broadcasting Corporation (略称： NHK) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 時夫 / Tokio Nakada / ナカダ トキオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沖野 徹 / Toru Okino / オキノ トオル |
| 第7著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 裕 / Yutaka Hirose / ヒロセ ユタカ |
| 第8著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 剛久 / Yoshihisa Kato / カトウ ヨシヒサ |
| 第9著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺西 信一 / Nobukazu Teranishi / テラニシ ノブカズ |
| 第10著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： University of Hyogo) |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-05-22 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2015-13 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.46 |
| ページ範囲 | pp.63-67 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-05-14 (LQE) |
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