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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-01-23 15:45 シリコンスピンMOSFETの室温動作の達成 ○田原貴之（京大）・佐々木智生（TDK）・安藤裕一郎（京大）・亀野 誠（阪大）・小池勇人・及川 亨（TDK）・鈴木淑男（AIT）・白石誠司（京大）  MR2014-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2014-43 |
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| 抄録 | （和） | 現在のエレクトロニクスデバイスの中心を成すCMOSトランジスタ技術はその微細化と集積化を伴って発展してきた. しかし近年，その微細加工技術が物理的限界に達しつつあり，高集積化に伴う消費電力の増大といった問題が顕在化している．我々はスピントロニクスの立場からこれらの問題解決するために，半導体スピントロニクスの研究を行っている．通常のmetal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)のスピン版ともいえるSpin-MOSFETが提案されていたが，縮退した(金属的な)シリコンチャネルを用いた研究に終始していた．今回我々は縮退シリコンで得られた背景学理に基づき，ゲート電圧でスピン伝導チャネルを制御可能な非縮退半導体シリコンを用いたSpin-MOSFETの室温動作を世界に先駆けて成功させた．本報告ではシリコンSpin-MOSFETにおけるスピン信号検出とその定量的評価に加え，スピン信号のゲート依存性について詳細を述べる． |
| （英） | A technology for CMOS transistors has been developing for many years by establishing nano-lithography and high density integration techniques. However, the nano-lothography technique is facing with physical limits and a problem on huge energy consumption of the transistors becomes more serious. We have been studying semiconductor spitronics in order to solve the above mentioned problems. In a field of spintronics, spin metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), which is a spin version of a conventional MOSFET, was proposed, but conventional studies were limitted in spin transport in a degenerate Si channel. In this paper, we report on the first experimental demonstration of Si-based spin MOSFET using non-degenerate Si, which is based on background physics of spin transportphysics in degenerate Si. | |
| キーワード | （和） | Beyond-CMOS / スピントロニクス / Spin-MOSFET / シリコン / / / / |
| （英） | Beyond-CMOS / Spintronics / Spin-MOSFET / Silicon / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, 2015年1月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2015-01-16 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2014-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2014-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS ITE-CE |
| 開催期間 | 2015-01-23 - 2015-01-23 |
| 開催地（和） | パナソニック企業年金基金 松心会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 映像・情報ストレージ応用技術，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2015-01-MR-MMS-CE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコンスピンMOSFETの室温動作の達成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Room Temperature Operation of Silicon Spin-MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Beyond-CMOS / Beyond-CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | スピントロニクス / Spintronics |
| キーワード(3)（和/英） | Spin-MOSFET / Spin-MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田原 貴之 / Takayuki Tahara / タハラ タカユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 智生 / Tomoyuki Sasaki / ササキ トモユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | TDK株式会社 (略称： TDK) TDK Corporation (略称： TDK) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安藤 裕一郎 / Yuichiro Ando / アンドウ ユウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 亀野 誠 / Makoto Kameno / カメノ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小池 勇人 / Hayato Koike / コイケ ハヤト |
| 第5著者 所属（和/英） | TDK株式会社 (略称： TDK) TDK Corporation (略称： TDK) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 及川 亨 / Ryo Oikawa / オイカワ リョウ |
| 第6著者 所属（和/英） | TDK株式会社 (略称： TDK) TDK Corporation (略称： TDK) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 淑男 / Toshio Suzuki / スズキ トシオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 秋田県産業技術センター (略称： AIT) Akita Prefectural Industrial Center (略称： AIT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 誠司 / Masashi Shiraishi / シライシ マサシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-01-23 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2014-43 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.413 |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-01-16 (MR) |
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