講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-12-22 14:10
InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング ○川崎鉄哉・吉田智洋・菅原健太・Adrian Dobroiu・渡辺隆之・杉山弘樹・若生洋由希(東北大)・可児淳一・寺田 純・桑野 茂(NTT)・吾郷浩樹・河原憲治(九大)・岩月勝美・末光哲也・尾辻泰一(東北大) ED2014-100 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2014-100 |
抄録 |
(和) |
InGaAsチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)、及びグラフェンチャネルFETを用いて、差周波12.5~37.5 GHzの赤外二光波混合光の照射に対する光起電力スペクトルを観測した。InGaAs チャネルHEMTを用いたフォトミキシングでは、閾値電圧付近で最大の光応答が得られた。グラフェンチャネルFETを用いた場合では、電流遮断周波数2 GHzという乏しい高周波特性にも関わらず、フォトミキシング機能を有することが確認できた。 |
(英) |
We experimentally investigated the photomixing function in the millimeter wave range by using InGaAs channel high electron mobility transistors (HEMTs) and graphene channel field effect transistors (FETs) which we fabricated. The dual comb IR laser beam having differential frequency 12.5, 25 or 37.5 GHz was introduced to the channel area from the backside of the device and we measured the photoresponse spectrum of the downconverted output. The maximam photoresponse of the InGaAs channel HEMT was obtained at the threshold voltage. We also obtained the photoresponse of the graphene channel FET in spite of its poor current-gain cutoff frequency of 2GHz. |
キーワード |
(和) |
InGaAsチャネルHEMT / グラフェンチャネルFET / フォトミキシング / / / / / |
(英) |
InGaAs channle HEMT / Graphene channel FET / Photomixing / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 387, ED2014-100, pp. 9-13, 2014年12月. |
資料番号 |
ED2014-100 |
発行日 |
2014-12-15 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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