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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-12 13:00 n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価 ○渕矢剛宏・前田善春・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大）  EID2014-21 SDM2014-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-21 SDM2014-116 |
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| 抄録 | （和） | フォトセンサ応用を目指して、n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPT の光伝導性を評価した．ゲート端子をn領域に接続したpin-ch，n-ch，ゲート端子をp領域に接続したpin-ch，p-chの順で，光誘起電流が大きいことが観測された．また、デバイスシミュレーションを用いて，n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTの電子密度(n)・ホール密度(p)・再結合割合を解析した．再結合割合の差異が光誘起電流の差異の原因となっていることが示唆された． |
| （英） | We have evaluated photoconductivities of n-ch, p-ch, and pin-ch poly-Si TFPTs for photosensor application. It was observed that the photo-induced electric current is: pin-ch with the gate terminal connected to n-region > n-ch > pin-ch with the gate terminal connected to p-region > p-ch. Moreover, we have analyzed electron density (n), hole density (p), and recombination rate of the n-ch, p-ch, and pin-ch poly-Si TFPTs using device simulation. It was suggested that the difference of photo-induced electric current is caused by the difference of the recombination rate. | |
| キーワード | （和） | n-ch / p-ch / pin-ch / poly-Si / TFPT / 光誘起電流 / デバイスシミュレーション / 再結合割合 |
| （英） | n-ch / p-ch / pin-ch / poly-Si / TFPT / Photo-induced electric current / Device simulation / Recombination rate | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-116, pp. 41-44, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-116 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-21 SDM2014-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-21 SDM2014-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of photoconductivities of n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | n-ch / n-ch |
| キーワード(2)（和/英） | p-ch / p-ch |
| キーワード(3)（和/英） | pin-ch / pin-ch |
| キーワード(4)（和/英） | poly-Si / poly-Si |
| キーワード(5)（和/英） | TFPT / TFPT |
| キーワード(6)（和/英） | 光誘起電流 / Photo-induced electric current |
| キーワード(7)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| キーワード(8)（和/英） | 再結合割合 / Recombination rate |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渕矢 剛宏 / Takahiro Fuchiya / フチヤ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 善春 / Yoshiharu Maeda / マエダ ヨシハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 門目 尭之 / Takayuki Kadonome / カドノメ タカユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 匠 / Takumi Tanaka / タナカ タクミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第6著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 13:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-21, SDM2014-116 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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