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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-12 11:00 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果 ○竹内光明・林 恭平・龍頭啓充・高岡義寛（京大）・永山 勉・松田耕自（日新イオン機器）  EID2014-17 SDM2014-112 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-17 SDM2014-112 |
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| 抄録 | （和） | 炭化水素多原子分子イオンC$_{n}$H$_{n}^{+}$($n$=3, 7, 14)及びC$_{n}$H$_{2n+1}^{+}$($n$=3,6,12) を0.4 -- 3.0 keV/carbon, 1$times$10$^{14}$ carbons/cm$^{2}$ にてSi基板に照射し, 基板損傷を分光エリプソメーターとラザフォード後方散乱分析を用いて評価した．C$_{n}$H$_{2n+1}^{+}$はC$_{n}$H$_{n}^{+}$に比べ変異原子数が約40%程度多く, エリプソメーターから求めた損傷層も厚い傾向であった. |
| （英） | Irradiation damage on Si(100) substrates which were irradiated with C$_{n}$H$_{n}^{+}$($n$=3, 7, 14) and C$_{n}$H$_{2n+1}^{+}$($n$=3,6,12) under conditions of 0.4 -- 3.0 keV/carbon and 1$times$10$^{14}$ carbons/cm$^{2}$ were evaluated by using Rutherford back scattering with channeling (RBS/C) and spectroscopic ellipsometry (SE). Number of displaced atoms on Si lattice of C$_{n}$H$_{2n+1}^{+}$ estimated by the RBS/C was 40% greater than that of C$_{n}$H$_{n}^{+}$ at similar energy, which agreed with the SE's data. |
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| キーワード | （和） | 炭化水素 / イオン注入 / アニール / ラザフォード後方散乱 / 分光エリプソメトリー / / / |
| （英） | hydrocarbon / ion implantation / annealing / Rutherford backscattering / spectro ellipsometry / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-112, pp. 21-24, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-112 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-17 SDM2014-112 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-17 SDM2014-112 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Irradiation Effect of Carbon-Based Polyatomic Ions on Si Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化水素 / hydrocarbon |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(3)（和/英） | アニール / annealing |
| キーワード(4)（和/英） | ラザフォード後方散乱 / Rutherford backscattering |
| キーワード(5)（和/英） | 分光エリプソメトリー / spectro ellipsometry |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 光明 / Mitsuaki Takeuchi / タケウチ ミツアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 恭平 / Kyohei Hayashi / ハヤシ キョウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 龍頭 啓充 / Hiromichi Ryuto / リュウトウ ヒロミチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高岡 義寛 / Gikan H. Takaoka / タカオカ ギカン |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永山 勉 / Tsutomu Nagayama / ナガヤマ ツトム |
| 第5著者 所属（和/英） | 日新イオン機器株式会社 (略称： 日新イオン機器) Nissin Ion Equipment Co., Ltd. (略称： Nissin Ion Equipment) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 耕自 / Koji Matsuda / マツダ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日新イオン機器株式会社 (略称： 日新イオン機器) Nissin Ion Equipment Co., Ltd. (略称： Nissin Ion Equipment) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 11:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-17, SDM2014-112 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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