講演抄録/キーワード |
講演名 |
2014-12-12 17:00
水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成 ○梅原智明・堀田昌宏・吉嗣晃治・石河泰明・浦岡行治(奈良先端大) EID2014-36 SDM2014-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2014-36 SDM2014-131 |
抄録 |
(和) |
窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸化プロセスにおいて, 水蒸気を原料として発生させた高周波プラズマを用いたAl2O3膜の形成を提案した. MIMキャパシタを用いた絶縁破壊試験を行った結果, 従来の熱ALDによるAl2O3膜と比べ, リーク電流の低減および絶縁破壊電界の向上が確認できた. またプラズマ印加時間を適切に選択することでプラズマの発光分光計測において, 水蒸気を原料とするプラズマ活性種の存在が確認され, このプラズマ種が反応に寄与する可能性が示唆された. |
(英) |
In this paper, we reported Al2O3 insulation film deposited by atomic layer deposition(ALD) for application of GaN power devices. In the ALD for Al2O3 film deposition, we sugested to deposit Al2O3 film using plasma originated from water vapor for the oxidation process. We confirmed that the water vapor plasma assisted ALD leads to an increase in breakdown field and a decrease in gate leak current compared with the conventional thermal-ALD Al2O3 film. Optical emission spectrometry reveals that active species originated form water vapor were generated, which may contributes to the reaction. |
キーワード |
(和) |
プラズマ誘起原子層堆積法 / Al2O3 / 水蒸気プラズマ / / / / / |
(英) |
Plasma assisted-atomic layer deposition / Al2O3 / water vapor plasma / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-131, pp. 119-123, 2014年12月. |
資料番号 |
SDM2014-131 |
発行日 |
2014-12-05 (EID, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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