| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-12 10:15 pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性 ○藤原寛朗・森岡直也・田中 一・須田 淳・木本恒暢（京大）  EID2014-14 SDM2014-109 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-14 SDM2014-109 |
|
| 抄録 | （和） | 幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$，$langle$110$rangle$，$langle$111$rangle$，$langle$112$rangle$ 方位のpチャネルゲートオールアラウンドSiナノワイヤMOSFETを作製し，「double $L$m」法を用いて室温における正孔移動度の評価を行なった．表面キャリア密度が高密度の領域下で80～140 $rm{cm}^{2}/{rm{Vs}}$の正孔移動度を達成し，ナノワイヤの方位と断面形状に関する正孔移動度の依存性を確認した．正孔移動度の結晶方位および断面形状依存性を，強束縛（Tight Binding）近似法によるバンド構造の計算結果，および異なる面方位をもった側壁面の伝導への寄与に基づいて考察し，これらから説明できることを示した． |
| （英） | We fabricated $langle$100$rangle$, $langle$110$rangle$, $langle$111$rangle$, and $langle$112$rangle$ p-channel Gate-All-Around Si nanowire (SiNW) MOSFETs with rectangular cross sections with various width, and investigated the hole mobility of the SiNW MOSFETs using the double Lm method. Measured hole mobilities of SiNW MOSFETs were about 80-140 $rm{cm}^{2}/{rm{Vs}}$ at $n_{rm{inv} = 1×10^{13}$ $rm{cm}^{-2}$. The dependences of the hole mobility on orientations and cross-sectional shapes of nanowires were clarified. The orientation and geometry dependences can be explained by the band structures calculated by tight-binding approximation and the contribution to conduction from the four periphery surfaces around the NW. | |
| キーワード | （和） | Siナノワイヤ / MOSFET / 正孔移動度 / 有効質量 / / / / |
| （英） | Si Nanowire / MOSFET / Hole Mobility / Effective Mass / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 360, SDM2014-109, pp. 7-11, 2014年12月. | |
| 資料番号 | SDM2014-109 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-14 SDM2014-109 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-14 SDM2014-109 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impacts of Orientation and Cross-sectional Shape on Mobility of P-channel Si Nanowire MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siナノワイヤ / Si Nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 正孔移動度 / Hole Mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 有効質量 / Effective Mass |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 寛朗 / Hiroaki Fujihara / フジハラ ヒロアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森岡 直也 / Naoya Morioka / モリオカ ナオヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 一 / Hajime Tanaka / タナカ ハジメ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 10:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2014-14, SDM2014-109 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]