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| 講演名 | 2014-12-12 14:45 GaSnO薄膜の特性評価 ○加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大）  EID2014-28 SDM2014-123 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-28 SDM2014-123 |
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| 抄録 | （和） | RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特性評価を行った。組成比Ga：Sn = 1：3で成膜された膜は全て透過率が80 %以上あり、成膜圧力の増加に伴いシート抵抗が低下する傾向がみられた。組成比Ga：Sn = 3：1で成膜された膜は透過率とシート抵抗の両方が成膜圧力の増加に伴い低下する傾向がみられた。組成比分析の結果、組成比Ga：Sn = 1：3で成膜された膜は設定した出発材料に近い値を示していたが、組成比Ga：Sn = 3：1で成膜された膜は成膜圧力の増加に伴い、Gaの割合が減少しSnは増加した。GTO薄膜はGa及びSnの組成、成膜条件を制御することにより今後のデバイス応用へ向けての期待が持てると考えられる。 |
| （英） | Thin films of Ga-Sn-O (GTO) were studied for device applications. Transmittance of GTO thin films with composition ratio at Ga：Sn = 1：3 were higher than 80 %. The sheet resistance was decreased with increasing deposition pressure. On the other hand, transmittance of GTO thin films with composition ratio at Ga:：Sn = 3：1 were decreased with increasing deposition pressure. Oxygen vacancy in GTO films were increased with increasing the deposition pressure. Change in the composition ratio of GTO during deposition process from target to the substrate increases the oxygen vacancy. The characteristics of GaSnO thin films depend on the deposition pressure and composition of target material. | |
| キーワード | （和） | 酸化物半導体材料 / GaSnO薄膜 / RFマグネトロンスパッタリング法 / / / / / |
| （英） | Oxide semiconductor / GaSnO thin film / RF magnetron sputtering / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 359, EID2014-28, pp. 79-82, 2014年12月. | |
| 資料番号 | EID2014-28 | |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2014-28 SDM2014-123 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2014-28 SDM2014-123 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM EID |
| 開催期間 | 2014-12-12 - 2014-12-12 |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価、およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2014-12-SDM-EID |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaSnO薄膜の特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of Ga-Sn-Oxide thin film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化物半導体材料 / Oxide semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | GaSnO薄膜 / GaSnO thin film |
| キーワード(3)（和/英） | RFマグネトロンスパッタリング法 / RF magnetron sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 雄太 / Yuta Kato / カトウ ユウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西本 大樹 / Daiki Nishimoto / ニシモト ダイキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-12 14:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2014-28, SDM2014-123 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.359(EID), no.360(SDM) |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2014-12-05 (EID, SDM) |
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