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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2014-12-02 14:50 65 nmプロセスにおけるアンテナダメージによる経年劣化の測定と評価 ○岸田 亮・大島 梓・小林和淑（京都工繊大）  ICD2014-106 CPSY2014-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2014-106 |
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| 抄録 | （和） | 近年の集積回路の微細化により，アンテナダメージによる信頼性の低下が懸念されている．本稿では，アンテナダメージによる経年劣化の主要因の１つであるBTI (Bias Temperature Instability) への影響を評価する．評価回路には発振経路の1ヶ所のみにアンテナを接続した65 nm プロセスのリングオシレータを用いる．アンテナ比5k以下であるアンテナダメージの小さい構造ではNBTI (Negative BTI) への影響は同じであった．アンテナ比50k のアンテナダメージの大きい構造ではNBTI が増加する．アンテナ比50k でもPBTI (Positive BTI) は発生せず，ポリシリコンゲートではPBTI が発生しないことを確認した．バルクとSOTB (Silicon On Thin BOX) でBTI の傾向が同じであることから，SOTB でもアンテナダメージを緩和できる．ダメージを緩和するにはアンテナをドレインにつなげることが有効である． |
| （英） | Degradations of reliability caused by plasma induced damage (PID) have become a significant concern with miniaturizing a device size. In this paper, we evaluate BTI (Bias Temperature Instability) which is a main factor of aging degradation caused by PID. We fabricated ring oscillators with an antenna structure on a single stage in 65 nm process. NBTI (Negative BTI) is almost equivalent in small PID structures which are less than AR (Antenna Ratio) of 5k. NBTI increases in large PID structures which is AR of 50k. PBTI (Positive BTI) does not occur even in AR of 50k. PBTI does not appear in poly silicon gate. SOTB (Silicon On Thin BOX) can relieve PID because BTI degradation is equivalent between bulk and SOTB. Connecting an antenna to a drain is good approach to relieve PID. | |
| キーワード | （和） | アンテナダメージ / BTI (Bias Temperature Instability) / SOTB (Silicon On Thin BOX) / リングオシ レータ / 発振周波数 / 信頼性 / / |
| （英） | PID (Plasma Induced Damage) / BTI (Bias Temperature Instability) / SOTB (Silicon On Thin BOX) / ring oscillator / frequency / reliability / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 114, no. 345, ICD2014-106, pp. 123-128, 2014年12月. | |
| 資料番号 | ICD2014-106 | |
| 発行日 | 2014-11-24 (ICD, CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2014-106 CPSY2014-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2014-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD CPSY |
| 開催期間 | 2014-12-01 - 2014-12-02 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2014-12-ICD-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 65 nmプロセスにおけるアンテナダメージによる経年劣化の測定と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurements and Evaluations of Aging Degradation Caused by Plasma Induced Damage in 65 nm Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | アンテナダメージ / PID (Plasma Induced Damage) |
| キーワード(2)（和/英） | BTI (Bias Temperature Instability) / BTI (Bias Temperature Instability) |
| キーワード(3)（和/英） | SOTB (Silicon On Thin BOX) / SOTB (Silicon On Thin BOX) |
| キーワード(4)（和/英） | リングオシ レータ / ring oscillator |
| キーワード(5)（和/英） | 発振周波数 / frequency |
| キーワード(6)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸田 亮 / Ryo Kishida / キシダ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 梓 / Azusa Oshima / オオシマ アズサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2014-12-02 14:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2014-106, CPSY2014-118 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | no.345(ICD), no.346(CPSY) |
| ページ範囲 | pp.123-128 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2014-11-24 (ICD, CPSY) |
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